光电检测技术(第三章 光电检测器件)讲述说明.ppt

;第三节 半导体光电检测器件 一、光敏电阻 二、光电池 三、光敏二极管 四、光敏三极管 第四节 各种光电检测器件的性能比较和应用选择 一、接收光信号的方式 二、各种光电检测器件的性能比较 三、光电检测器件的应用选择;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件; 光电探测器的响应随入射辐射的调制频率而变化的特性。其关系如下：;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;1、常用的经典光电发射材料 ;②锑铯阴极（CsSb）;③多碱光电阴极 A、锑钾钠光电阴极：响应度可达50－100μA/lm，在0.4 μm处量子效率达25％，能耐高温； B、锑钾钠铯光电阴极：峰值响应度波长在0.42微米附近，峰值响应度可达230μA/lm，量子效率高；响应范围较宽。 ④碲化铯（紫外）光电阴极：对太阳＆地表面辐射不敏感，响应范围100－280nm；长波限在290～320微米。;2、负电子亲和势（NEA）材料 1963年由Simom提出的负电子亲和势理论，并于Scheer等人研制的第一个GaAs-Cs负电子亲和势光电阴极。 ①NEA与光电阴极发射的区别： 参与发射的电子是导带的“冷”或“热化”电子； NEA阴极重导带的电子逸入真空不需做功； NEA是指半导体内的有效值。;②特点： 高吸收，低反射性质； 高量子效率，可达50％～60％，长波限可达9％； 光谱响应可达1μm以上； “冷”电子发射光谱能量分布较集中，接近高斯分布； 光谱响应较为平坦； 暗电流小，从室温冷却到－20摄氏度时，暗电流下降3个数量级； 在可见、红外区，能获得高响应度（2微安每流明），紫外区不突出； 工艺复杂，造价昂贵。; 采用特殊工艺，例如在重掺杂P型硅表面涂一薄层CsO2，可形成NEA材料。负电子亲和势是指体内的有效电子亲和势，而不是指表面电子亲和势。NEA发射体和常规光电发射体的表面，电子状态是类似的，导带底上的电子能量都低于真空能级，其差值为Ea。但是，两者体内电子能量则不同。NEA发射体导带底的电子能量高于真空能级，而常规发射体电子亲和势仍是正的。NEA阴极的量子效率高于正电子亲和势阴极，可从其光电发射过程进行分析。价带中的电子吸收光子能量，跃迁到导带底以上，成为热电子（受激电子能量超过导带底的电子）。在向表面运动的过程中，由于碰撞散射而发生能量损失，故很快就落到导带底而变成冷电子（能量恰好等于导带底的电子）。热电子的平均寿命非常短，约 10e-14～10e-12s。如果在这么短的时间内能够运动到真空界面，自然能逸出。但是热电子的逸出深度只有几十纳米，绝大部分电子来不及到达真空界面，就已经落到导带底变成冷电子了。冷电子的平均寿命比较长，约 10e-9～10e-8s，其逸出深度可达1000纳米。因为体内冷电子能量仍高于真空能级，所以它们运动到真空界面时，可以很容易地逸出。因此NEA量子效率比常规发射体高得多。 ;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;端窗式：百叶窗倍增极结构;光电检测器件;光电检测器件; 引起暗电流的因素： （主要暗电流）光电阴极＆第一倍增极的热电子发射； （极间漏电流）各级绝缘体强度不够或极间灰尘放电； 离子＆光的反馈作用； 场致发射，尖端放电； 放射性同位素＆宇宙射线的影响。 ;减小暗电流的方法 选好PMT的极间电压； 在阳极回路中加上与暗电流相反的直流成分来补偿； 在倍增输出电路加一选频或锁相放大滤掉暗电流； 利用冷却法减小热电子发射等。;光电检测器件;型号;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;;光敏电阻 ;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;本征型和杂质型光敏电阻;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光敏电阻参数;光敏电阻的优缺点 1、优点：灵敏度高，工作电流大，光谱响应范围与所测光强范围宽、无极性使用方便； 2、缺点：响应时间长、频率特性差、强光线性差、受温度影响大等。;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电检测器件;光电池等效电路;光电检测器件;反向电流随光照度的增加而上升;光电检测器件;连接方式：开路电压输出---(a) 短路