固体氧化物燃料电池金属连接体表面双层涂层的制备与性能研究-动力工程及工程热物理专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 上海交通大学 学位论文原创性声明 本人郑重声明：所呈交的学位论文《固体氧化物燃料电池中金属 连接体表面双层涂层的制备与性能研究》，是本人在导师的指导下， 独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外，本 论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本 文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。 本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。 学位论文作者签名： 日期： 年 月 日 上海交通大学 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定， 同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版， 允许论文被查阅和借阅。本人授权上海交通大学可以将本学位论文的 全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫 描等复制手段保存和汇编本学位论文。 保密□，在年解密后适用本授权书。 本学位论文属于 不保密□。 （请在以上方框内打“√”） 学位论文作者签名： 指导教师签名： 日期： 年 月 日 日期： 年 月 日 上海交通大学硕士学位论文 上海交通大学硕士学位论文 固体氧化物燃料电池金属连接体表面双层涂层的制备与性能 研究 摘要 固体氧化物燃料电池（SOFC）是一种高效、洁净的新型能源转化 装置，它具有全固态结构、模块化组装、能量转化效率高、燃料适用 性广和不需要贵金属作为催化剂等显著优点。金属合金具有材料成本 低、气密性好、电导率高、导热性能好、易于加工等优点, 逐渐取代 传统的陶瓷材料铬酸镧(LaCrO3)被应用于电池的连接体。但是,未经特 殊处理的金属合金在典型的 SOFC 运行环境下会因表面氧化膜形成而 不断增大电池堆的接触电阻。此外，在 SOFC 阴极工作气氛下金属合 金挥发出气态 Cr 会毒化电池阴极，造成电池性能急剧下降。目前，双 层涂层被广泛应用于金属连接体的保护涂层，第一涂层作为致密的阻 挡层，限制金属基体中铬的往外扩散；第二涂层作为阴极接触层，主 要作用是减少金属连接体和电池阴极的接触电阻。钙钛矿结构氧化物 （ 例 如 La0.6Sr0.4CoO3 (LSC), La0.6Sr0.4Fe0.8Co0.2O3(LSCF), La0.6Sr0.4Cu0.9Fe0.1O3(LSCuF) 和 Sm0.5Sr0.5CoO3(SSC)等）被广泛应用于 阴极接触层，这些钙钛矿型氧化物材料具有与电池的阴极化学兼容性 好并且具有很高的电子电导率等优点。但是这些钙钛矿型氧化物的热 膨胀系数普遍比较大，并且需要较高的烧结温度才能够烧结致密，而 金属合金应用于连接体限制了烧结温度不能太高，为了避免金属合金 被过度氧化，需要开发新的涂层制备工艺用于阴极接触层的制备。 本文针对金属连接体表面 Cr 阻挡层的制备工艺复杂且致密度不 高，以及高温烧结阴极接触层容易导致金属基体严重氧化等难题，提 出一种新的综合方法用于金属连接体表面双层涂层的制备。首先，通 过电镀法在经济型不锈钢 SUS430 表面电镀钴，钴镀层经过后期热处 I 理形成致密的钴基尖晶石阻挡层，然后通过前驱体原位成相法或者液 相烧结法制备阴极接触层，以降低接触层的烧结温度，避免金属合金 基体在高温空气气氛下被过度氧化。实验结果表明电镀得到的钴镀层 致密平整，经热处理后最终形成致密的钴基尖晶石层，该阻挡层与金 属基体结合紧密，有效地抑制了基体表面氧化皮的生长和 Cr 元素的往 外扩散，从而提高了金属合金基体在高温环境下的抗氧化性能。在制 备阴极接触层时，液相烧结法主要通过添加 10wt%的 Co3O4 作为烧结 助剂有效地提高了 La0.6Sr0.4CoO3-δ 接触层的低温烧结效果，烧结温度 降低到 900℃。前驱体原位成相法通过先将前驱体在氩气下 1100℃烧 结，然后空气气氛下 800℃成相，有效地减少了对金属基体的高温氧 化。在 800℃下氧化 200 小时后，两种方法制备的双层涂层覆盖的 SUS430 基体的 ASR 值约为 23mΩ·cm2，明显低于无涂层保护的 SUS430 基体的 ASR 值 64mΩ·cm2，双层涂层有效地改善了 SUS430 基体的电学性能。 关键词：固体氧化物燃料电池、金属连接体、双层涂层、液相烧结、 原位成相 II FABRICATION AND PROPERTY INVESTIGATIONS OF DUAL LAYER COATINGS ON METALLIC INTERCONNECTS FOR SOLID OXIDE FUEL CELL ABSTRACT Solid oxide fuel cells (SOFCs) are highly efficient power generation systems, which have at