高频光电导法测少子寿命.PDF

实验6 高频光电导法测少子寿命 学习目标 1、掌握高频光电导衰减法测量半导体单晶中少子寿命的实验原理； 2、掌握高频光电导衰减法测量半导体单晶中少子寿命的实验方法； 3、完成高频光电导衰减法测量半导体单晶中少子寿命的实验内容； 4 、加深理解少数载流子寿命与半导体其它半导体物理参数的关系。 建议学时：2 学时 原理 半导体中非平衡少子寿命是是表征半导体单晶材料质量的重要物理量，与半导体中杂质、 晶体结构缺陷直接有关。少子寿命测量是半导体的常规测试项目之一。 光电导衰减法是指利用脉冲光在半导体中激发出非平衡载流子，导致半导体的体电阻发 生改变，通过测量体电阻或两端电压的变化规律获得半导体中非平衡少子的寿命。光电导衰 减法又分为直流光电导衰减法、高频光电导衰减法和微波光电导衰减法，分别采用直流、高 频电流以及微波加载在半导体样品上检测非平衡载流子的衰减过程。直流法是标准方法，高 频法使用方便，常用来检验单晶质量，而微波法常用于器件工艺线上测试晶片的工艺质量。 此外，还有扩散长度法、双脉冲法、漂移法以及光磁电法等测量寿命的方法。 本实验采用高频光电导衰减法测量半导体单晶中少子寿命。 1、理论基础 当用能量大于半导体禁带宽度的光照射样品时，在样品中激发产生非平衡电子和空穴。 若样品中没有明显的陷阱效应，那么非平衡电子（∆n ）和空穴(∆p)的浓度相等，即∆n =∆p。 即使在小注入的情况下，注入的非平衡少子的浓度也比热平衡状态少子的浓度大得多，所以 在半导体中非平衡少子往往起着重要作用，通常所说的非平衡载流子都是指非平衡少子。 光注入的非平衡载流子必然导致半导体电导率增大，引起的附加电导率为  q p q n qp(   ) （1） p n p n 其中：q 为电子电荷; µp 和µn 分别为空穴和电子的迁移率。附加电导率可以采用如图 1 所示电路观察。 V R 半 光 导 照 体 图1 光电导衰减法测量非平衡少子寿命原理图 图2-18 中电阻R 比半导体电阻r 大很多，无论是否光照，半导体中的电流I 几乎是恒定 的，半导体上的电压降V=Ir 。设热平衡时半导体电导率为 ，光照时的电导率  0    ，因而半导体电阻率改变为 0  1/   1/  （2 ） 0 小注入时     ，因此 0 0  1/   1/    / 2 （3 ） 0 0 则半导体电阻改变 2 r l / S  [l /(S )] （4 ）