硅纳米晶体表面改性和发光性能研究-材料科学与工程专业论文.docxVIP

硅纳米晶体的表面改性和发光性能研究⑧ 硅纳米晶体的表面改性和发光性能研究 ⑧ 论文作者签名： 乏终玺!I!坠 指导教师签名：—牛碧二髫．／L 论文评阅人1： 兰量主 塑垫!亟匹叁量 评阅人2： 兰堑基鲨 到缝垫宝望生入誊 评阅人3： 里叠鱼．遗圆氐 评阅人4： 评阅人5： 答辩委员会主席：墨。盘垦邈壁红l兰竖 委员1： 至坌主!矍燮逝巡 委员2： 焦迄．墨』燮过红!生筮莹 委员3： 姜熟盗 到塑拯啦暨盥 委员4： 量遨 墨立垫盗盥丛鲨 委员5： 万方数据 Surface Surface Modification And Photoluminescence Of ．Silicon N anocrystals。 ⑧ Authors signature： Supervisor’s sig nature： ExternaI Reviewers： h巴 母f EXamining Committee Cha．rperson：j挚!一堕＆妊钙吖zJ“ Examining Committee Membe rS_j姆—些衅f缈z了比 幽丛驾 I|9细d出 阡鲥匀“ U 严1[e咖巧计 刁认 Date of oral defence：丝签：!：I! 万方数据 浙江大学研究生学位论文独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成 浙江大学研究生学位论文独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成 果。除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过 的研究成果，也不包含为获得浙江大学或其他教育机构的学位或证书而使用过的材 料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均己在论文中作了明确的说明并表 示谢意。 学位论文作者签名：乡腾f1‘丑 签字吼弘心年3月吻日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解浙江大学有权保留并向国家有关部门或机构送交本论文的 复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权浙江大学可以将学位论文的全部 或部分内容编入有关数据库进行检索和传播，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段 保存、汇编学位论文。 (保密的学位论文在解密后适用本授权书) 学位论文作者签名：；疆暑，1I蔓 导师签名：憎剃 签字日期：珈K年弓月门日 签字日期勘f．购匆明f c『日 万方数据 摘要摘要 摘要 摘要 硅纳米晶体由于具有新颖的电学和光学性能，在光电子、光伏、显示和生 物标记等领域拥有广阔的用途前景。本论文的工作，集中在研究硅纳米晶体的 发光性能与其尺寸和表面改性的关系。 我们采用冷等离子体硅纳米晶体合成设备获得独立存在的，尺寸分布在2— 10 nlil的硅纳米晶体颗粒。然后，对其进行氢化硅烷化表面改性，尺寸分选等 操作，获得尺寸分布集中的一系列颗粒。测试这一系列颗粒的荧光光谱，荧光 效率，荧光寿命并以此计算其辐射，非辐射复合几率。我们发现荧光峰位能量 与尺寸之间符合有效质量近似模型。荧光效率随着尺寸的减小(从10 nm减小 到2 nm)呈先升高后下降的趋势，最佳荧光效率出现在尺寸2．8 nm时，对应的 荧光峰位是744 niil。随着尺寸从10 Ilill减小到2 13111，我们发现硅纳米晶体的非 辐射复合几率呈指数型上升，通过电子顺磁能谱(EPR)测试，我们证明这与纳 米晶表面悬挂键密度的变化有关。当尺寸从10 rim减小到2．8 nm，硅纳米晶体 的辐射复合几率也呈现指数型上升，这符合量子限域效应理论。然而，当尺寸 进一步从2．8 nm减小到2 nm时，辐射复合几率不再呈现指数型上升，而是略 有下降。我们认为，当纳米晶体尺寸很小时，电子和空穴容易从纳米晶体内部 隧穿到其表面，这可能是造成辐射复合几率不再呈现指数型上升的原因。 我们比较了加热法和紫外(UV)辐照法对硅纳米晶体氢化硅烷化反应的影 响，选用卜十八烯，卜十二烯，卜辛烯，卜戊烯和苯乙烯进行氢化硅烷化反应。 获得了不同改性条件下的烷基钝化的硅纳米晶体。对其进行尺寸，荧光光谱， 荧光效率，荧光寿命等测试，并计算其辐射，非辐射复合几率。我们发现，UV 辐照法有利于降低氢化硅烷化反应过程中基团的交联反应。 对于卜十八烯， 卜十二烯，卜辛烯，采用UV辐照法和加热法获得的硅纳米晶体具有相似的发 光性能；而对于1一戊烯和苯乙烯，相对于加热法，采用Uv辐照法更有利于提 高硅纳米晶体的荧光效率。我们对氢化硅烷化的硅纳米晶体进行了电子顺磁能 谱测试，发现较高的荧光效率对应于较低的表面悬挂键密度。 关键词：硅纳米晶体，表面改性，光致发光，荧光量子效率，辐射复合几率， 非辐射复合几率，悬挂键 万方数据 浙江大学硕士学位论文 口 万方数据 AbstractAbs