多个硅通孔引起的热应力对迁移率和阻止区的影响董刚刘荡....pdfVIP

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2019-04-02 发布于台湾
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多个硅通孔引起的热应力对迁移率和阻止区的影响董刚刘荡石涛杨银堂 Effectsofthermalstressinducedbymulitiplethroughsilicon vias on mobilityand keep out zone DongGang LiuDang Shi Tao YangYin-Tang 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,176601(2015) DOI: 10.7498/aps.64.176601 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.176601 当期内容Viewt