硅基薄膜材料制备及其在太阳电池中的应用-电子与通信工程专业论文.docxVIP

摘要摘要本文主要利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)、飞秒激光等技术，研究了P、I层的制备并将最终的结果应用到太阳电池中，本论文的研究内容主要有以下几点。1．低温制备高质量本征非晶硅薄膜利用PECVD系统在100。200℃温度范围内调节气体压强、辉光功率、衬底温度、硅烷浓度等参数制备本征非晶硅薄膜，发现在本文所设参数范围内薄膜的生长速率随功率、衬底温度、硅烷浓度的增大而增大，所得薄膜质量则随沉积参数变化有一定变化，相对而言压强对薄膜的生长影响则不大。经过优化参数最终制得了光敏性超过104，带隙为1．81eV的本征非晶硅薄膜。将制得材料用于非晶硅薄膜太阳电池中在无陷光结构和p／i界面优化情况下得到了5．29％的光电转换效率(AMl．5)，并使用AMPS软件模拟了本征层厚度对电池性能的影响。2．低温制备用于非晶硅太阳电池窗口层的P．type∥c．Si：H薄膜材料研究在不同沉积条件下以B(CH3)3为掺杂剂，硅烷浓度、衬底温度、掺杂浓度、功率密度等对材料性能的影响。实验中控制薄膜厚度为35nm左右，此厚度可以直接用于实际电池中的P层。发现随着硅烷浓度的增加薄膜的晶化率下降，随温度升高薄膜晶化率增加，但薄膜晶化率相对于掺杂浓度和功率密度的变化则不具有单调性而是有一定的起伏。最后制得暗态电导10’1S／cm量级，光学带隙2．5eV左右的p-type／zc．Si：H薄膜材料。将其用于非晶电池的窗口层研究了不同功率密度和厚度对电池性能的影响。3．单晶硅表面的飞秒激光织构化和HIT结构钝化层的研究用飞秒激光在不同的气氛和功率密度下辐照单晶硅和非晶硅薄膜表面，发现在经过激光照射后，材料的吸收性能大幅增强，表面颜色加深接近黑色。使用扫描电子显微镜观察发现，经激光辐照后的硅片表面在不同气氛下结构有所区别，其中在SF6气氛下生成的表面呈密集锥状排列，具有较好的光吸收效果。并在不同温度下于单晶硅上沉积非晶硅薄膜作为钝化层。关键词：PECVD，非晶硅薄膜，P．typettc．Si：H薄膜，钝化AbstractAbstractThispapermainlyusedPECVDmethodtofabricateP、Ilayerandusedthefinaloutcomeinsolarcells．Themaincontentofthispaperresearchedhasthefollowingpoints：1、DepositionhighqualityintrinsicsiliconthinfilmsatlowtemperatureUsedPECVDmethodtodepositionintrinsicsiliconthinfilmsinvaryingtemperatureof100—200。C．Resultshowedthatthefilms’growthrateimprovedwithincreasedofpowerdensity、silaneconcentrationandsubstratetemperatureindesignedparametersrange．Thequalityofthefilmwithsedimentaryparameterschangehaveheaverolling．Relatively，pressprehasalittleinfluenceonfilmdeposition．Byoptimizeddepositionparametersweobtainedanintrinsicfilmwithphotosensitivityexceed104,photonicbandgap1．81eV．usedthethinfilminamorphoussiliconsolarcells，weobtainedaconversioneffidencyof5．29％withoutlight—trappingstmctI-treandinterfacelayer．Atlastwesimulatedtheinfluenceofintrinsic1ayerthinknesstosolarcellsperformanceusedAMPS．1D．2、Depositionp-typepc—Si：HthinfilmsasthewindowlayeratlowtemperatureUsedB(CH3)3asadopant，researchthefinalfilm‘Spropertiesvaryingdepositionparameterssuchassilaneconcentration、substratetemperature、dopantconcentrationandpowerdensity．Inexperiments，controlthefilm’S