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第33 卷 第8 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 33 No. 8
2018 年8 月 Journal of Inorganic Materials Aug., 2018
文章编号: 1000-324X(2018)08-0903-06 DOI: 10.15541/ji
质子辐照对 Yb 掺杂 ZnO 稀磁半导体薄膜缺陷与磁性的影响
1,2 1 1 1,2 1
陈卫宾 , 刘学超 , 卓世异 , 柴 骏 , 施尔畏
(1. 中国科学院 上海硅酸盐研究所, 上海200050; 2. 中国科学院大学, 北京 100049)
摘 要: 采用电感耦合等离子体增强物理气相沉积法制备了Yb 掺杂ZnO 薄膜, 并采用不同剂量质子对薄膜进行了
辐照实验, 重点采用X 射线衍射、光电子能谱、正电子湮灭图谱和磁测量系统对Zn0.985Yb0.015O 薄膜的缺陷和磁性
能进行了研究。磁性测试结果表明: Zn0.985Yb0.015O 薄膜经质子辐照后其饱和磁化强度随辐照剂量的增加逐渐增大,
当辐照剂量为6 × 1015 ions/cm2 时, 其饱和磁化强度达到最大, 随着辐照剂量的进一步增加, 其饱和磁化强度反而
变小。正电子湮灭图谱结果显示薄膜中主要存在锌空位相关的缺陷, 并且锌空位相关的缺陷随辐照剂量的变化与饱
和磁化强度随辐照剂量的变化相一致。本研究从实验上揭示了在含有各种缺陷的 Yb 掺杂 ZnO 薄膜中, 锌空位缺
陷是影响质子辐照Zn0.985Yb0.015O 薄膜磁性的主要原因。
关 键 词: Yb 掺杂ZnO, 质子辐照, 稀磁半导体, 铁磁性
中图分类号: O474 文献标识码: A
Influence of Proton Irradiation on Defect and Magnetism of Yb-doped ZnO
Dluted Magnetic Semiconductor Thin Films
1,2 1 1 1,2 1
CHEN Wei-Bin , LIU Xue-Chao , ZHUO Shi-Yi , CHAI Jun , SHI Er-Wei
(1. Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China; 2. University of Chinese Academy
of Sciences, Beijing 100049, China)
Abstract: Yb-doped ZnO thin films were prepared by inductivel
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