半导体二极管及其简单电路.PDF

第１章　半导体二极管及其简单电路 内容提要　由于半导体器件具有体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小和转 换效率高等优点，因而在现代电子技术中得到广泛的应用．半导体二极管是最简单的 半导体器件，它用半导体材料制成，其主要特性是单向导电性．本章主要讨论 ＰＮ结 的单向导电性、普通二极管的主要特性以及二极管电路的分析方法． １．１　半导体的基础知识 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体．在自然界中属于半导体的物质很多， 用来制造半导体器件的材料主要是硅（Ｓｉ）、锗（Ｇｅ）和砷化镓（ＧａＡｓ）等，其中硅用得最广泛． １．１．１　本征半导体 纯净的半导体称为本征半导体．用于制造半导体器件的纯硅和锗都是四价元素，其最外层 原子轨道上有四个电子（称为价电子）．在单晶结构中，由于原子排列的有序性，价电子为相邻 的原子所共有，形成如图１．１．１所示的共价键结构，图中＋４代表四价元素原子核和内层电子 所具有的净电荷． 图１．１．１　硅和锗的原子结构及本征激发 共价键中的价电子，受共价键的束缚．在室温或光照下，少数价电子可以获得足够的能量 摆脱共价键的束缚成为自由电子，同时在共价键中留下一个空位，如图１．１．１所示，这种现象 电工学　中册　模拟电子技术基础 称为本征激发，这个空位称为空穴，可见本征激发产生的自由电子和空穴是成对的．原子失去 价电子后带正电，可等效地看成是因为有了带正电的空穴．空穴很容易吸引邻近共价键中的价 电子去填补，使空位发生转移，这种价电子填补空位的运动可以看成空穴在运动，但其运动方 向与价电子运动方向相反．自由电子和空穴在运动中相遇时会重新结合而成对消失，这种现象 称为复合．温度一定时，自由电子和空穴的产生与复合将达到动态平衡，这时自由电子和空穴 的浓度一定． 在电场作用下，自由电子和空穴将作定向运动，这种运动称为漂移，所形成的电流叫做漂 移电流．自由电子又叫电子载流子，空穴又叫空穴载流子．因此，半导体中有自由电子和空穴两 种载流子参与导电，分别形成电子电流和空穴电流，这一点与金属导体的导电机理不同．在常 温下本征半导体载流子浓度很低，因此导电能力很弱． １．１．２　杂质半导体 为了提高半导体的导电能力，可在本征半导体中掺入微量杂质元素，掺杂后的半导体称为 杂质半导体．按掺入杂质的不同有Ｎ型半导体和Ｐ型半导体之分． 在四价的硅（或锗）中掺入五价元素（如磷、砷、锑等）后，杂质原子替代了晶格中某些四价 元素原子的位置，如图１．１．２（ａ）所示．杂质原子与周围的四价元素原子结合成共价键时多余 一个价电子，这个多余的价电子在室温下就能挣脱共价键的束缚成为自由电子，杂质原子则变 成带正电荷的离子，称施主离子．掺入多少杂质原子就能电离产生多少个自由电子，因此自由 电子的浓度大大增加．这时由本征激发产生的空穴被复合的机会增多，使得空穴浓度反而减 少．这种以电子导电为主的半导体称为Ｎ型（或电子型）半导体，其中自由电子为多数载流子 （简称多子），空穴为少数载流子（简称少子）． 图１．１．２　杂质半导体结构示意图 在四价的硅（或锗中）掺入三价元素（如硼、铝、铟等）后，杂质原子与周围的四价元素原 子形成共价键时因缺少一个价电子而产生一个空位，室温下这个空位极容易被邻近共价键中 的价电子所填补，使杂质原子变成负离子，称为受主离子，如图１．１．２（ｂ）所示，这种掺杂使空 穴的浓度大大增加，这是以空穴导电为主的半导体，称为Ｐ型（或空穴型）半导体，其中空穴为 多子，自由电子为少子． 第１章　半导体二极管及其简单电路 图１．１．３所示为杂质半导体中载流子和杂质离子的示意图．必须指出：杂质离子虽然带电 荷，但不能移动，因此它不是载流子；杂质半导体中虽然有一种载流子占多数，但整个半导体仍 呈电中性． 图１．１．３　杂质半导体中的载流子和离子 杂质半导体的导电性能主要取决于多子浓度，多子浓度主要取决于掺杂浓度，其值较大并 且稳定，因此导电性能得到显著改善．少子浓度主要与本征激发有关，因此对温度敏感，其大小 随温度的升高而增大． １．１．３　 ＰＮ结 １ＰＮ结的形成 采用特定的制造工艺，在同一块半导体基