多晶硅铸锭炉技术发展.docVIP

无锡开日能源科技股份有限公司 刘杰 2011-9-16 无锡开日能源科技股份有限公司是一家专业制造太阳能 光伏设备的高新技术企业,是国内新兴的光伏设备制造商。 以卓越的技术和先进的品质帮助我们的客户! 以阳光照亮世界! 拥有FT500,KR-800A, KR-800B等多晶硅铸锭炉产 品,其中KR-800B型可投料 900Kg。目前拥有无锡尚德、 保利协鑫、旭阳雷迪、河南 朝歌等用户。 多晶硅铸锭发展趋势 一、多-装料多 二、快-周期短 三、好-品质高 四、省-省消耗 一、多-加大装载量 第一代:240~270kg 硅锭尺寸:690X690X240 第二代:450~500kg 硅锭尺寸:840X840X280 第三代:650~800kg 硅锭尺寸:1000X1000X350 G4 G5 G6 大尺寸装料的实现(一) G5路线:通过提高炉内有效高度来实现 提升顶部加热器,降低DS块,增加装载高度, 可将有效空间提高到650mm以上,装料650kg 。 450型 650型一 650型二 ??尺寸装料的实现(二) G6路线:通过扩大径向尺寸来实现 1. 扩大炉筒直径,同时扩大热场横向尺寸 2. 在G5炉筒直径的基础上对热场进行横 向扩大(具有巨大的市场基础) G5加热器结构 G6加热器结构 G6路线的优势: 配套开方设备和技术已成熟,可提高开方效率; 装料量更大,目前最大可达1000kg(锭子可达 430高); 类单晶工艺比G5更有优势(G5只能做到9个全单 晶块-36%,而G6可以做到25个-70%) 二、快-缩短工艺周期 加热 熔化 长晶 退火 冷却 出锭 1540℃ 1430℃ 900℃ 1 3 7 0 ℃ 400℃ 铸锭工艺过程 1.加热熔化段 改进加热段排气,充气工艺; 使用莱宝真空机组(SV300+WAU1001)实验: 初始抽真空到5Pa,中间通氩气 到1 mbar 进行气体置换,再抽真 空到5Pa 两种情况下残余氧气的分压: 一次抽空到0.8Pa时,氧的分压为0.16Pa; 一次抽空到5Pa时,氧分压为1Pa, 充氩气到1mbar, 再???抽空到5Pa 时,氧的分压0.05Pa; 结果: ? 二次抽真空后,氧气分压达到0,05 Pa !。仅为一 次抽真空到0.8Pa时的1/3,采用氩气置换,除氧效 果更好!同时炉内湿度更低,因为单级旋片泵抽水 蒸气能力强! 两种抽气情况下所需时间对比表 增大加热功率 加热段最大加热功率输出可达85%左右; 提高P转T的温度 提高P转T时的温度点,可大大节省熔料时间。 温度控制模式为后反馈模式,通过调节PID来实 现对温度的控制,而功率控制模式为前馈模式, 可以通过手动设定来实现快速加热。 加热熔化段工艺配方 2.生长退火段 硅锭中的杂质和缺陷主要集中在锭子的底部和顶 部,一般顶部要切除3cm左右,所以边角涨晶步 3-4小时中生长的部分是无用的,针对这种情况, 可在边角涨晶步提前进入退火,可缩短退火时间。 生长退火段工艺配方 时间对比表 普通工艺 优化工艺 抽空???间 1 0.5 加热熔化时间 15 11 退火时间 4 3 合计 20 14.5 三、好-提高硅锭质量 1. 借鉴单晶生长技术,采用低压排杂降低碳含量。 硅锭中碳杂质的形成: SiO2+3C=SiC+2CO SiC + SiO2 = SiO+ CO CO 被带回液面,分解并流动到界面 碳杂质或碳化硅被界面吞噬 实验证明降低熔化生长段的炉压,可明显降低 硅锭中的碳含量,可下降至6-8ppm。 熔体表面co的浓度 2. 采用真空退火工艺  减少硅锭头部杂质含量,特别是氮化硅粉在表面的 沉积,提高头部的少子寿命;  降低切片破片率,每个锭可多得100片左右(G5);  节省氩气用量,约10m3/锭;  真空状态下热效率更高,因为辐射换热不需要中间 介质,在真空中即可进行,而且在真空中辐射能的 传递最有效。因此,可提高热传递效率,降低能耗 缩短退火时间。 3. 类单晶工艺 多晶区全单晶 早在去年下半年既已引起国内外各大设???厂家, 生产大厂的重视,并投入很大的技术力量和资金; 目前已有多家宣称能在G5炉上实现类单晶的生产。 ① 优势:  转换效率普遍高于多晶片,C区可达17.5%以上;  生产成本大大低于单晶生产成本,单晶160元/kg, 类单晶60元/kg;  类单晶电池片衰减低。 ② 劣势:  阴阳片(花片)制绒工艺不成熟;  类单晶片市场定位问题;  与多晶锭生产相比,类单晶工艺成熟度不高,难以 实现自动控制;  成本偏高,籽晶重复利用率不高。 ③ 工艺路线: ④ 设备基础:  以ALD为代表的上下加热方式,能比较好的控制 上下温度,从而达到控制仔晶的熔化程度,但由 于石英坩埚侧壁的作