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Institute of Microelectronics, Hexin Peking University 组汇报告 贺鑫 2014.01.06 阳极氧化制备多阈值 IGZO TFT 背景介绍 IGZO TFT的主要缺点——难以获得p型器件，不能设计制备CMOS架构的逻辑电路，目前的IGZO TFT电路都是基于n型器件。 E/D模式较E/E模式的优势 输出摆幅大； 工作速度快； 功耗小。 主要问题——工艺上没有方便、准确调节阈值电压的方法 实验进展 阳极氧化IGZO薄膜 薄膜生长条件：Ar : O2 = 49: 1，方阻：3k，100nm 阳极氧化条件：100 V，1.75 mA 氧化部分 未氧化部分 实验现象： 阳极氧化后，薄膜更透明，方阻变大 可能原因：1、氧空位减少；2、被腐蚀 验证实验：薄膜在柠檬酸中浸泡40min后，台阶不明显 氧化过程：电压在40V后出现突变 电流有波动 阳极氧化制备IGZO TFT 实验过程 1500A Mo gate electrode 2000A SiO2 by PECVD at 300℃ 500A IGZO by DC MS Negative PR, backside illumination Anodic oxidation Active region pattern 2000A Mo SD 实验结果 阳极氧化制备IGZO TFT 0 V 115 V 140 V 37 nm 45 nm 51 nm 分析与计划 初步证明阳极氧化能够对IGZO TFT的阈值电压进行调节； 柠檬酸能够很缓慢的腐蚀IGZO（42min，~14nm）； 相比没有图形的阳极氧化，图形化后氧化速度要快很多； 之前样品长上SiO2钝化层后性能有什么变化； 阳极氧化后，器件特性的均匀性较差； 下步优化实验参数，如氧化电压（40V，60V，80V）； 生长钝化层和退火后，是否能否保持阈值电压的调节效果。 Institute of Microelectronics, Hexin Peking University