以电化学法沈积氧化锌薄膜之特性研究.pdf

以電化學法沈積氧化鋅薄膜之特性研究 莊妙如, 林易陞,許郁昇 建國科技大學自動化系暨機電光所 (NSC100-2221-E-270-007-) 本研究是利用氯化鋅水溶液，以電化學法(electrochemical deposition, ECD)沈積氧化鋅(zinc oxide, ZnO) 於 ITO 玻璃上，研究氯化鋅濃度變化與沈積溫度及退火前後 ZnO 薄膜特性之 變 化 。 我 們 利 用 循 環 伏 安 法 (cyclic voltammetry, CV)及 計 時 安 培 分 析 法 (chronoamperometry) ，研究沈積ZnO 薄膜的反應機構及電化學行為；材料特性則是分別使 用掠角 X 光繞射法 (Grazing incident X-ray diffraction, GID) 與紫外光可見光光譜儀- (UV – Vis spectroscopy, UV –Vis ) 分析 ZnO 薄膜的結晶程度與光學性質；掃瞄式電子顯微鏡 (Scanning electron microscope, SEM) 及能量散佈分析儀 (Energy Dispersive Spectrometer, EDS) ，作為研究ZnO 薄膜的表面形貌及組成之工具。實驗結果顯示，熱處理對表面形貌沒 有影響，可是對薄膜結構卻有影響。由 GID及 EDS 分析結果得知，以 ECD 成長於 ITO 玻 璃表面之薄膜其主要成分為 Zn (OH) Cl H O ，但經過退火處理後，Zn (OH) Cl H O 全部轉 5 8 2 2 5 8 2 2 變為 ZnO 。由SEM證實 ZnO 奈米結晶之表面形貌為奈米片狀(nanosheet)結構 。 關鍵字：氧化鋅、電化學、掠角 X 光繞射法 1. 前言 考點，選用飽和甘汞電極 (saturated calomel electrode, SCE) 。 透明導電氧化物薄膜 (TCO, Transparent conductive oxide)在光電產業有著廣泛的應用，如平面顯示器、異質接 2.2 CD ZnO 薄膜電鍍液配置 面太陽能電池、有機發光二極體、表面聲波元件等 [1-4] ， 電鍍液的主要配方為氯化鋅、氯化鉀及過氧化 而氧化鋅(ZnO, zinc oxide)則是目前熱門最被廣泛使用的一 氫溶液。在本實驗中，氯化鋅的濃度為 0.025M ， 種。 ZnO 薄膜是一種直接帶隙的Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體材料, 0.075M及 0.125 M ，用以提供鋅離子；採用0.05 M 室溫下的帶寬約為3. 3 eV, 並且其激子束縛能約在60 meV。; 的氯化鉀做為輔助電解液，過氧化氫溶液則是當作 此外，ZnO 材料具有低介電常數、高化學穩定性、良好的機 氧化劑以氧化金屬鋅成氧化鋅。沉積溫度為室溫、 電耦合性和光電、壓電性能 ,且價格低廉、毒性小、能阻絕 45℃及 65℃，電壓則控制在-1.1V ，和電解液pH值 紫外光等優點，使得ZnO 被認為是一種很有前途的光電材 維持在 5±0.2 。退火條件在350℃加熱