原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
第1讲 半导体器件;本讲内容;PN结;PN结的内建势垒电压;GaAs PN结、Ge PN结;本讲内容;PN结反向偏置（1）;PN结反向偏置（2）;PN结正向偏置;PN结的理想IV特性;PN结的理想IV特性曲线;PN结的理想IV特性曲线（对数）;Pn结反向击穿;击穿电压;PN结的温度效应;Pn结正向到反向切换;二极管电路分析（图解法）;二极管电路：交流等效分析;等效电路：直流、交流;本讲内容;其它类型二极管;太阳能电池;光电二极管;发光二极管;肖特基二极管;金属-半导体接触;雪崩二极管;齐纳二极管;PIN二极管;本讲内容;场效应晶体管（FET）;MOSFET结构;MOSFET工作原理;IDS与阈值电压VTH;本讲内容;MOSFET导通：线性vs饱和;NMOS线性区、饱和区的条件;NMOS理想I-V特性;耗尽型NMOS;增强型PMOS;耗尽型PMOS;CMOS工艺;沟长调制效应;体效应;亚阈值效应;击穿效应;温度效应;本讲内容;JFET;JFET的I-V特性（VDS较小）;JFET的I-V特性（VGS固定）;增强型MESFET;本讲内容;BJT结构：NPN、PNP;BJT的4种工作状态;本讲内容;NPN晶体管：正向放大区;BJT正向放大的理想IV特性（1）;BJT正向放大的理想IV特性（2）;VCE对I-V特性的修正;直流分析方法（1）;直流分析方法（2）;直流分析方法（3）
文档评论（0）