重庆大学微系统研究中心工艺平台服务.doc

重庆大学微系统研究中心MEMS工艺平台服务收费方式 及收费标准（试行） 工艺名称 主要设备 加工内容 片数/批 单价 备注 光刻 双面光刻机 MA6/BA6 常规正胶、负胶光刻 1片 200元/片 1. 含涂胶、烘烤等工序 2. 标准四英寸基片，非标准片加收粘片费50元/片 SU8厚胶光刻 1片 800元/片 1. 胶厚5~15μm、50~150μm； 2. 允许自带光刻胶 干法刻蚀 RIE刻蚀机 ME-3A* RIE刻蚀Si3N4、SiO2以及光刻胶等聚合物材料（ 300nm） 1片 150元/片 1. 增加厚度50元/100nm ICP刻蚀系统 STS LPXICP ASE-SR** DRIE深槽刻蚀硅（ 20μm） 1片 1000元/片 1. 增加厚度100元/10μm； 2. 不提供超过200μm的刻蚀 去胶机 AW-3000* 去胶或微流控芯片活化（10min） 25片 150元/批 1. 刻蚀时间超过10min，加收100元/10min 薄膜沉积 磁控溅射台 FHR MS 100x4 - L Al、Ti、Cr、Mo等金属（200nm） 1片 300元/片 1. 增加厚度20元/10nm TiW/Au（Cr/Au或Ti/Au）（160nm） 1片 1000元/片 1. 增加厚度40元/10nm Ti/Pt（160nm） 1片 1200元/片 1. 增加厚度60元/10nm AlN压电薄膜（1μm） 1片 3000元/片 1. 增加厚度100元/100nm 蒸发台 ZZS500-2/G* 蒸发Al、Cu等金属（200nm） 12片 400元/批 1. 允许自带金属 氧化炉 L4512-36/ZM 热氧化SiO2 (300nm) 25片 1000元/炉或500元/小时 退火 25片 300元/小时 LPCVD系统 L4110-3/Z M LPCVD淀积氮化硅、多晶硅、氧化硅 25片 1500元/炉或700元/小时 1. 氮化硅150nm，多晶硅、氧化硅500nm PECVD系统 PECVD淀积氮化硅、氧化硅或非晶硅（500nm） 1片 500元/小时 晶圆键合 键合机 SB6e 阳极键合（Si-玻璃） 1片 400元/片 1. 键合对准加收100元/对； 2. 键合时间超过1小时，加收150元/小时； 3. 不接受非标准片键合 金硅共晶键合 1片 400元/片 Si-Si预键合 1片 250元/片 湿法腐蚀 HCT-3G、HCT-3F、CXS-1150A 腐蚀Si（小于10μm） KOH、TMAH、HNA 10片 100元/批 1. 增加深度20元/10μm; 2. 特殊结构腐蚀收费另议; 腐蚀SiO2（1μm） 10片 100元/批 1. 特殊结构及特定深度的腐蚀收费另议 Cr、Au、Al等金属腐蚀 1片 150元/片 去胶 1片 50元/片 超声剥离 1片 150元/片 常规清洗（酸） 12片 150元/批次 超声清洗 12片 50元/批 兆声清洗 25片 150元/批 封装 测试 减薄抛光（5μm） 1片 300元/片 划片机 1片 200元/片 1. 不超过20刀 引线键合机 1片 100元/片 1. 不超过10个焊盘 XP-100* 台阶仪 1片 100元/片 1. 每片5点 2. 或200元/小时 Xi-100* 光学轮廓仪 1片 100元/片 1. 每片5点 2. 或200元/小时 RTS-8 方块电阻测试 1片 100元/片 1. 每片5点 2. 或100元/小时 D33测试 1片 50元/片 收费说明： 此收费标准只适合于4英寸基片的标准单项工艺加工，对于非标准片及非标准工艺，收费另议； 校内用户可在此基础上优惠20%-30%； 对于加工量大且长期合作的客户，可根据具体加工情况双方协议收费； 用户完成每道工艺后按照收费标准直接计价，由申请人和工艺负责人签字后生效； 对于成套或特殊工艺的开发，客户必须和平台相关人员充分讨论，形成方案，协商价格，并经实验室主任签字确认实施工艺，费用按协商价格收取。