金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线.pdf

第 １ 卷 第 期 中 国科技论文 ０ １７ Ｖｏｌ．１０Ｎｏ．１７ 　 年 月 ＨＩＮＡ ＳＣＩＥＮＣＥＰＡＰＥＲ Ｓｅ ．２０１５ ２０１５ ９ Ｃ 　 ｐ 金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线 王 ， ， ， 艳周 岳红伟 栗军帅 李亚丽 （ ， 州 ） 兰州大学物理科学与技术学院 兰 ７３００００ ： （ ／ ） ， 摘 要 采用金属辅助化学刻蚀法 ＨＦ Ａ ＮＯ 溶液 在单晶硅表面制备了硅纳米线阵列 深入探讨了金属辅助化学刻蚀的机 　 ｇ ３ ， 。 ， 理 并研究了单晶硅表面纳米线阵列的光学性质 通过扫描电子显微镜对样品的形貌进行了表征 探讨了金属辅助化学刻蚀的 ， 、 ， 。 化学反应机理 研究了反应时间 反应温度等参数对硅纳米线形貌的影响 同时对硅表面纳米线阵列的反射率进行了测试 结 ， ， 、 ， 果表明 硅表面纳米线阵列对可见光有很好的减反射性能 并且发现通过改变溶液浓度 延长反应时间及升高反应温度等 可以 。 ， ， 有效调节硅纳米线阵列的抗反射性能 这是由于表面引入的硅纳米线结构 不仅可以增加入射光光程 还可以连续调节空气与 ， 。 ， ， 时所获得硅纳米线阵列的 硅基底之间的空间有效折射率 起到减反的作用 研究表明 在相同刻蚀溶液浓度下 反应温度 ０ ℃ ５ 减反射性能为最优。 ： ； ； ； 关键词 硅纳米线 金属辅助化学刻蚀法 光学性质 反射率 中图分类号： 文献标志码： 文章编号： ２ （ ） ２ ０ Ｏ４７２ Ａ ２０９５ ７８３２０１５ １７ ０８０ ３ － － － 　 　　　　 Ｆ ａ ａｂｒｉｃａｔｉｏｎｏｆｓｉｌｉｃｏｎｎａｎｏｗｉｒｅｓｂ ｍｅｔａｌ ｓｓｉｓｔｅｄｃｈｅｍｉｃａｌｅｔｃｈｉｎ － 　 　 　 　 ｙ 　 　 ｇ