不同气压下介质表面高功率微波击穿的数值模拟-强激光与粒子束.PDF

第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 ， ２２ １０ Ｖｏｌ．２２ Ｎｏ．１０ 　 　 年 月 ， ２０１０ １０ ＨＩＧＨ ＰＯＷＥＲＬＡＳＥＲＡＮＤＰＡＲＴＩＣＬＥＢＥＡＭＳ Ｏｃｔ． ２０１０ 　 　 文章编号： （ ） １００１４３２２２０１０１０２３６３０６ 　 不同气压下介质表面高功率微波击穿的数值模拟 蔡利兵， 王建国， 朱湘琴 　 　 （西北核技术研究所，西安 ７１００２４） 摘 要： 介绍了用于模拟介质表面高功率微波击穿的粒子模拟 蒙特卡罗碰撞方法，并采用该方法模拟  　　 　 　 研究了氩气环境不同气压下的介质表面高功率微波击穿过程，获得了该击穿过程中粒子数量和电子平均能量 的时间变化图像，并得到了击穿延迟时间。数值模拟结果发现：在低气压下，次级电子倍增的作用比较明显，但 电子数量在次级电子倍增饱和后的增速较低，击穿延迟时间较长；随着气压的升高，次级电子倍增的影响逐渐 变小，气体电离逐渐占主导地位，击穿延迟时间逐渐变短；在高气压下，由于介质表面吸收沉积电子而呈负电 性，次级电子倍增消失，击穿延迟时间由气体碰撞电离来决定。 关键词： 介质表面击穿； 高功率微波； 次级电子倍增； 粒子模拟 蒙特卡罗碰撞  　　 　 　 　 　 中图分类号： 文献标志码： ： ／ Ｏ５３１ Ａ 犱狅犻１０．３７８８ＨＰＬＰ２３６３ 　　 　 　　　　 　 　　 ［ ］ １２ 随着高功率微波（ＨＰＭ）源器件输出功率的不断提高和脉冲宽度的不断增大 ，作为 ＨＰＭ输出系统，馈 　　 ［］ ３ 源的介质窗表面击穿已成为 ＨＰＭ发射及应用的关键制约因素之一 。介质窗表面的 ＨＰＭ击穿是一个复杂 的物理过程，包含很多基本的物理现象，如场致电子发射、次级电子发射、放气现象和气体击穿等，其击穿的具 体过程为：（）场致发射提供种子电子；（）次级电子发射雪崩和次级电子倍增快速增长达到饱和；（）电子激发 １ ２ ３ ［］