天津大学测控电路基础-第一章.pptVIP

电子系统基本构成 本征半导体的共价键结构 电子与空穴 杂质对半导体导电性的影响 PN结的单向导电性（正向） PN结的单向导电性（正向） PN结的单向导电性（反向） PN结的单向导电性（反向） PN结方程 PN结方程 PN结的反向击穿特性 PN结的电容效应 半导体二极管的结构类型 半导体二极管的结构类型 半导体二极管的伏安特性曲线 正向特性 折线模型（实际模型） 二极管电路分析 开关电路 判别二极管是导通还是截止。 稳压二极管 参数 稳压二极管应用 稳压二极管应用 整流二极管 三极管的结构与符号 内部载流子运动形成的电流 输入特性曲线 输出特性曲线 输出特性曲线 三极管工作情况总结 半导体三极管的主要参数 半导体三极管的主要参数 半导体三极管的主要参数 半导体三极管的主要参数 半导体三极管的型号 三极管的应用 结型场效应管(Junction Field Effect Transistor) 结型场效应管 vGS对导电沟道的影响 vDS对导电沟道的影响 转移特性曲线 MOS场效应管(Metal Oxide Semiconductor FET) N沟道增强型MOSFET 工作原理（以N沟道增强型为例） 漏源电压vDS的控制作用 其它类型MOS管 各种类型MOS管的特性曲线 各种类型MOS管的特性曲线 场效应管的主要参数 场效应管小结 场效应管与双极型三极管的比较及使用注意事项 N沟道耗尽型： MOS场效应管 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 MOS场效应管 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 MOS场效应管 开启电压VT ：在vDS为一固定数值时，能产生iD所需要的最小 |vGS | 值。（增强） 直流参数 夹断电压VP ：在vDS为一固定数值时，使 iD对应一微小电流 时的 |vGS | 值。（耗尽） 饱和漏极电流IDSS ：在vGS = 0时( vDS |VP |时)漏 极电流。 直流输入电阻Rgs ：在vDS = 0时，栅源间直流电压与栅极直流电流的比值 8、场效应管 低频跨导 gm ：表示vGS对iD的控制作用。 在转移特性曲线上， gm 是曲线在某点上的斜率，也可由iD的表达式求导得出，单位为 S 或 mS。 输出电阻rds ：表示vDS对iD的影响 它是输出特性曲线上工作点处斜率的倒数。 极间电容 ：漏源电容CDS约为 0.1~1pF， 栅源电容CGS和栅漏极电容CGD约为1~3pF。 场效应管的主要参数 交流参数 8、场效应管 最大漏极电流 IDM 漏源击穿电压 V(BR)DS 栅源击穿电压 V(BR)GS 最大漏极耗散功率 PDM PD =vDSiD 场效应管的主要参数 极限参数 8、场效应管 8、场效应管 几兆欧姆以上 几十到几千欧姆 输入电阻 易受静电影响 不受静电影响 静电影响 适宜大规模和超大规模集成 不易大规模集成 集成工艺 较小，可有零温度系数点 受温度影响较大 温度特性 较小 较大 噪声 电压控制电流源VCCS(gm) 电流控制电流源CCCS(β) 控制 多子漂移 多子扩散少子漂移 载流子 D与S可倒置使用 C与E一般不可倒置使用 结型耗尽型 N沟道 P沟道 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 NPN型 PNP型 结构 场效应三极管 双极型三极管 8、场效应管 (2) 电子在基区复合和扩散 电子向集电结扩散 少部分电子与基区空穴复合形成电流IBN (3) 集电结收集电子 由于集电结反偏，电子在电场作用下漂移过集电结，到达集电区，形成电流ICN。 内部载流子运动形成的电流 三极管的电流分配与控制 (4) 集电极的反向电流 集电结收集到的电子包括两部分： 发射区扩散到基区的电子——ICN 基区的少数载流子——ICBO 内部载流子运动形成的电流 三极管的电流分配与控制 IE=ICN+ IBN IC=ICN+ ICBO IB=IEP+IBN－ICBO IE =IC+IB 内部载流子运动形成的电流 三极管的电流分配与控制 对于集电极电流IC和发射极电流IE之间的关系可以用系数α来说明，定义: α称为共基极直流电流放大系数。 α一般为0.98~0.999 。 三极管的电流放大系数 三极管的电流分配与控制 引入α后，三极管的电流分配关系为： 当 很小的时候，则可得如下近似式： 三极管各极之间电流分配关系： 三极管的电流放大系数 三极管的电流分配与控制 三极管各级上的电流相互依赖，相互制约。但是严格的讲，只能