新型湿法氧化对多孔硅发光强度的影响-Core
光 电 子 ·激 光
第 15 卷 第 8 期 2004 年 8 月 Vol. 15 No. 8 Aug. 2004
J ournal of Optoelectronics ·Laser
新型湿法氧化对多孔硅发光强度的影响
蔡贝妮 , 陈松岩 , 曾明刚, 蔡加法
(厦门大学物理与机电工程学院 ,厦门 361005)
摘要 :在适当条件下氧化多孔硅是提高多孔硅发光强度的良好途径。首次采用含 CH CSNH 的 HF 酸水
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