轴承滚珠等离子体浸没离子注入过程的数值模拟X-强激光与粒子束.PDF

　第 16 卷 　第 12 期 强 激 光 与 粒 子 束 Vol. 16 ,No. 12 　 　2004 年 12 月 HIGH POWER LASER AND PARTICL E BEAMS Dec. ,2004 　 文章编号 : 　100124322 (2004) 1221598205 X 轴承滚珠等离子体浸没离子注入过程的数值模拟 于永　 , 　王浪平 , 　王小峰 , 　汤宝寅 , 甘孔银 , 　刘洪喜 , 　王宇航 , 　王松雁 ( 哈尔滨工业大学 材料学院 现代焊接生产技术国家重点实验室, 黑龙江 哈尔滨 150001) ( ) 　　摘 　要 : 　利用轴对称 PIC 模型对轴承滚珠等离子体浸没离子注入 PIII 过程进行了数值模拟 ,对归一化 电势的扩展情况进行了研究。在滚珠批量处理过程中,为了避免相邻滚珠周围鞘层的相互重叠对注入均匀性 造成不良影响 ,对滚珠在靶台上摆放的最小距离进行了数值计算 ,计算结果表明 :在电压为 - 40kV , 氮等离子 9 - 3 体密度为 4. 8 ×10 cm ,脉冲宽度为 10μ s 时 ,滚珠摆放的最小距离应大于 34. 18cm 。分析了滚珠圆周方向注 入剂量的分布情况 ,针对静止滚珠改性处理后剂量分布很不均匀的问题 ,通过旋转靶台使滚珠注入均匀性明显 得到改善。利用朗谬尔探针测量了滚珠周围鞘层扩展的情况测量 ,模拟结果和实验测量结果相吻合 ,最大相对 误差小于 8. 4 % 。 　　关键词 : 　等离子体浸没离子注入 ; 　鞘层动力学数值模拟 ; 　注入剂量均匀性 　　中图分类号 : 　TG172. 44 　　　　文献标识码 : 　A ( ) 　　20 世纪 80 年代末发展起来的等离子体浸没离子注入 PIII 技术 ,实现了对复杂形状零件任意表面同时、 垂直和均匀的离子注入处理 ,克服了传统束线离子注入的直射性限制[1 ,2 ] ,并且能够快速处理各种复杂形状的 工业轴承套圈和滚动体[3 ,4 ] 。在 PIII 过程中 ,在被高密度等离子体包围的待处理工件上加一个负高压脉冲 ,工 件周围将形成一定厚度的、包围着工件的正离子阵鞘层 ,正离子被鞘层位降所加速 , 向工件高速运动 ,注入到工 件表面[5 ] 。因此注入阶段鞘层在空间的扩展情况直接关系到最终注入剂量分布的均匀性[6 ] 。为了避免轴承 滚珠批量处理过程中鞘层相互重叠对注入均匀性所造成的影响 ,有必要对滚珠周围鞘层的扩展情况进行研究。 目前主要利用流体动力学模型或PIC 模型对平面靶、柱形靶和球形靶周围的鞘层扩展情况进行研究[7～10 ] ,本 文采用轴对称 PIC 模型对轴承滚珠批量处理过程中鞘层的运动情况进行模拟。由于鞘层的几何尺寸仅与初 始电压和等离子体密度等系统参数有关 ,因此对滚珠进行批量处理时 ,可以认为几何尺寸相同的滚珠周围鞘层 的厚度相同 ,这样只要对单个滚珠周围的鞘层扩展情况进行模拟计算 ,就可以推算出批量处理时滚珠在旋转靶 台上摆放的最小距离 , 以避免相邻滚珠周围鞘层的相互重叠对注入均匀性造成的不良影响。 1 　理论模型 　　采用轴对称 PIC 模型对气体等离子体在真空室中的运动情况 进行了模拟。由于等离子体的运动空间左右对称 ,并且气体等离子 体密度分布是均匀的 , 因此可以将模拟区域取为等离子体实际运动 区域的一半 ,如图 1 所示