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2019-04-10 发布于湖北
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第08章-离子注入工艺文档

半导体制造技术导论（第二版）第八章离子注入工艺白雪飞中国科学技术大学电子科学与技术系提纲 • 简介 • 离子注入技术简介 • 离子注入技术硬件设备 • 离子注入工艺过程 • 安全性 • 离子注入技术发展趋势 2 简介集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 4 离子注入技术发展史 • 掺杂工艺 – 半导体材料的导电率可以通过掺杂物控制 – 掺杂工艺：扩散、离子注入 • 扩散工艺 – 1970年代中期之前，一般应用高温炉中的扩散技术进行掺杂 – 重掺杂N型源极/漏极问题 – 栅光刻版和源极/漏极对准问题 • 离子注入 – 源极/漏极自对准工艺 – 形成重掺杂N型源极/漏极 – 多晶硅和多晶硅—硅化物栅极 5 扩散工艺扩散工艺示意图 6 栅极和源极/漏极对准工艺栅极和源极/漏极对准工艺 (a) 正常对准；(b) 对准失误 7 源极/漏极自对准工艺源极/漏极自对准工艺 8 离子注入技术的优点离子注入与扩散工艺比较扩散离子注入高温，硬遮蔽层低温，光刻胶作为遮蔽层等向性掺杂轮廓非等向性掺杂轮廓不能独立控制掺杂浓度和结深可以独立控制掺杂浓度和结深批量工艺批量及单晶圆工艺 9 离子注入和扩散掺杂过程离子注入和扩散掺杂过程的比较 10 离子注入技术的应用应用离子掺杂 N型：P, As, Sb ；P型：B 预非晶化 Si, Ge 埋氧层 O 多晶硅阻挡层 N