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* * ?半导体激光器 半导体激光器是光纤通讯中的重 要光源，在创建信息高速公路的 工程中起着极重要的作用。 　　核心部分是 　　　p型 GaAs 和 n型 GaAs 　　　　构成的 P-N结 　　　　　（通过掺杂补偿工艺制得）。 最简单的GaAs同质结半导体激光器， * 长 L = 250～500 ?m 宽 ｗ= 5～10 ?m 厚 d = 0.1～0.2 ?m 它的激励能源 是外加电压 (电泵)．在正向 偏压下工作。 L w d (P+)GaAs (n-)GaAs P-N结 典型尺寸： * 当正向电压大到一定程度时，在某些特 定的能级之间造成粒子数反转的状态， 形成电子与空穴复合发光。 P-Ｎ结本身就形成一个光学谐振腔， 它的两个端面就相当于两个反射镜， 形成激光振荡, 适当镀膜后可达到所要求的很高的 反射系数，并利于选频。 有大量载流子跃迁到较高能量的能级上。 由自发辐射引起受激辐射。 * §1 、 固体的能带 一. 电子共有化 固体具有大量分子、原子或离子有规则 排列的点阵结构。 电子受到周期性势场的作用。 - - - - - a * 解定态薛定鄂方程， 可以得出两点重要结论： １.电子的能量是量子化的; ２.电子的运动有隧道效应。 原子的外层电子(高能级)， 势垒穿透概率 较大， 电子可以在整个固体中运动,称为 共有化电子。 原子的内层电子与原