第3、4章微电子集成电路.pptVIP

集成电路基础工艺与制造工艺 集成电路设计与制造的主要流程框架 集成电路芯片的显微照片 第3章 集成电路工艺简介 图形转换： 光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻 刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀 掺杂： 离子注入 退火 扩散 制膜： 氧化：干氧氧化、湿氧氧化等 CVD：APCVD、LPCVD、PECVD PVD：蒸发、溅射 图形转换：光刻 光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变 正胶：分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶 负胶：分辨率差，适于加工线宽≥3?m的线条 * * 设计 芯片检测 单晶、外延材料 掩膜版 芯片制造过程 封装 测试 系统需求 集成电路的设计过程： 设计创意 + 仿真验证 集成电路芯片设计过程框架 From 吉利久教授 是 功能要求 行为设计（VHDL） 行为仿真 综合、优化——网表 时序仿真 布局布线——版图 后仿真 否 是 否 否 是 Sing off —设计业— —制造业— 芯片制造过程 由氧化、淀积、离子注入或蒸发形成新的薄膜或膜层 曝 光 刻 蚀 硅片 测试和封装 用掩膜版 重复 20-30次 AA 集成电路的内部单元(俯视图) N沟道MOS晶体管 CMOS集成电路(互补型MOS集成电路)：目前应用最为广泛的一种集成电路，约占集成电路总数的95%以上。 正胶：曝光后可溶 负胶：曝光后不可溶 第4章 CMOS集成电路加工过程简介 一、硅片制备 二、前部工序 掩膜1： P阱光刻 具体步骤如下： 1．生长二氧化硅： 2．P阱光刻： 涂胶、掩膜对准、曝光、显影、刻蚀 3．去胶 4．掺杂：掺入B元素 掩膜2 ： 光刻有源区 淀积氮化硅 光刻有源区 场区氧化 去除有源区氮化硅及二氧化硅 生长栅氧 淀积多晶硅 掩膜3 ：光刻多晶硅 掩膜4 ：P+区光刻 1、P+区光刻 2、离子注入B+，栅区有多晶硅做掩蔽，称为硅栅自对准工艺。 3、去胶 掩膜5 ： N+区光刻 1、N+区光刻 2、离子注入P+ 3、去胶 掩膜6 ：光刻接触孔 掩膜7 ：光刻铝引线 1、淀积铝 2、光刻铝 * * * * *