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第二章 PN结二极管 第三章 双极结性晶体管 了解晶体管的基本结构及其制作工艺。 掌握四个概念：注射效率、基区输运因子、共基极电流增益、共发射极电流增益 了解典型BJT的基本结构和工艺过程。 掌握BJT的四种工作模式。 画出BJT电流分量示意图，写出各极电流及其相互关系公式。 分别用能带图和载流子输运的观点解释BJT的放大作用。 解释理想BJT共基极连接和共发射极连接的输出特性曲线。 第四章 金属半导体结 第五章 结型场效应晶体管与MS场效应晶体管 第八章 半导体太阳电池和光电二极管 * * 掌握下列名词、术语和基本概念：PN结、突变结、线性缓变结、单边突变结、空间电荷区、耗尽近似、中性区、内建电场、内建电势差、势垒、正向注入、反向抽取、扩散近似。 分别采用费米能级和载流子漂移与扩散的观点解释PN结空间电荷区（SCR)的形成。 正确画出热平衡和加偏压PN结的能带图。 利用中性区电中性条件导出空间电荷区内建电势差公式。 了解Poisson方程求解单边突变结结SCR内建电场、内建电势、内建电势差和耗尽层宽度。 掌握反偏压下突变结，耗尽层宽度公式。 了解理想PN结基本假设及其意义。 导出长PN结和短PN结少子分布表达式。 掌握Shockley公式。 解释理想PN结反向电流的来源。 画出正、反偏压下PN结少子分布、电流分布和总电流示意图。 理解并掌握概念：正偏复合电流、反偏产生