第四章离子注入课程实例.pptVIP

第四章 离子注入;;;; 离子注入就象用枪将子弹打入墙中一样．子弹从枪中获取是量的动量，射入到墙体内停下．离子注入过程中发生相同的情形，替代子弹的是离子，掺杂原子被离化、分离、加速形成离子束流，注入衬底Si片中，进入表面并在表面以下停下。 ;什么是离子注入;4.1离子注入设备与工艺;离子注入机 源：采用气态源、固态源，大部分氟化物PF5,AsF5,BF3 ;离子注入有别于扩散工艺的特点表现在以下几个方面：;3、离子注入时，衬底一般是保持在室温或温度不高（≤400℃），因此，可用各种掩模（如氧化硅、氮化硅、铝和光刻胶）进行选择掺杂。在制备不能采用扩散工艺的器件时，这为独特的自对准掩模技术的设计提供了很大的自由度。 4、离子束的穿透深度随离子能量的增大而增大，因此，控制同一种或不同种的杂质进行多次注入时的能量和剂量，可以在很大的范围内得到不同的掺杂剂浓度分布截面。用这种方法比较容易获得超陡的和倒置的掺杂截面。;5、离子注入是非平衡过程，因此产生的载流子浓度不是受热力学限制，而是受掺杂剂在基质晶格中的活化能力的限制。故加入半导体中的杂质浓度可以不受固溶度的限制。 6、离子注入时衬底温度较低，避免高温扩散所引起的热缺陷。 7、由于注入是直进性，注入杂质是按照掩模的图形垂直入射，横向效应比热扩散小，有利于器件特征尺寸缩小。 8、离子注入是通过硅表面的薄膜入射到硅中，该膜起