5-模拟电子技术第五章场效应管及其放大电路.pptVIP

二、 工作原理 ②漏源电压VDS对沟道导电能力的影响 当VDS为0或较小时，VGD＞VT，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.1.5 MOSFET的主要参数 一、直流参数 1 简单的共源极放大电路 例题: 电路如图所示，设Rg1=60kΩ，Rg2=40kΩ，Rd=15kΩ，VDD=5V，VT=1V，Kn=0.2mA/V2。试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ。 2 带源极电阻的NMOS共源极放大电路 例题: 电路如图所示，设VT=1V，Kn=500μA/V2，VDD=5V，-VSS=-5V， Rd=10kΩ， R=0.5kΩ， ID=0.5mA。若流过Rg1 和Rg2的电流是ID的1/10，试确定Rg1和Rg2的值。 例题: 电路如图所示，由电流源提供偏置（可由其它MOS管构成）。设NMOS管的参数为Kn=160μA/V2， VT=1V， VDD=VSS=5V，IDQ=0.25mA， VDQ=2.5V。试求电路参数。 二、小信号模型 例题5.2.4: 电路如图所示，设VDD=5V， Rd=3.9kΩ， VGS=2V， VT=1V，Kn=0.8mA/V2，λ=0.02V-1。试当管工作在饱和区时，试确定电路的小信号电压增益。 例题5.2.5: 电路如图所示，设Rg1=150kΩ，Rg2=47kΩ，VT=1V，Kn=500μA/V2，λ=0，VDD=5V，-VSS=-5V， Rd=10kΩ， R=0.5kΩ， Rs=4kΩ。求电路的电压增益和源电压增益、输入电阻和输出电阻。 例题: 电路如图所示，耦合电容对信号频率可视为交流短路，场效应管工作在饱和区，rds很大，可忽略。试画出小信号等效电路，求出输入电阻、小信号电压增益、源电压小信号增益和输出电阻。 ①栅源电压VGS对iD的控制作用 ②漏源电压VDS对iD的影响 二、分压器式自偏压电路（共源极电路） 5.5 各种放大器件性能比较 1.耗尽型场效应管包含了JFET和耗尽型MOSFET； 2.增强型场效应管仅包含增强型MOSFET。 双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 场效应管(单极型三极管) 结构 NPN型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源CCCS(β) 电压控制电流源VCCS(gm) 双极型三极管 场效应三极管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 结型场效应管的特性小结 共漏极放大电路（源极跟随器） 3. MOSFET 三种基本放大电路比较(p.221) 共源极放大电路 共漏极放大电路(源极输出器） 共栅极放大电路 5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构