偏置条件对SOINMOS器件总剂量辐照效应影响.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 61, No. 22 (2012) 220702 偏置条件对SOI NMOS 器件总剂量 辐照效应的影响* 卓青青 刘红侠 杨兆年 蔡惠民 郝跃 ( 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071 ) ( 2012 年4 月24 日收到; 2012 年6 月14 日收到修改稿) 本文研究了0.8 m SOI NMOS 晶体管, 经剂量率为50 rad(Si)/s 的 Co 射线辐照之后的总剂量效应, 分析了 器件在不同辐照条件和测量偏置下的辐照响应特性. 研究结果表明: 器件辐照时的栅偏置电压越高, 辐照后栅氧化 层中积累的空穴陷阱电荷越多, 引起的漏极泄漏电流越大. 对于漏偏置为5 V 的器件, 当栅电压大于阈值电压时, 前 栅- 特性曲线中的漏极电流因碰撞电离而突然增大, 体电极的电流曲线呈现倒立的钟形. 关键词: 总剂量辐照效应, 泄漏电流, 栅偏置条件, 碰撞电离 PACS: 07.85.Fv, 61.80.Ed, 24.50.+g 段. SOI 技术的总剂量辐照效应不仅与生产工艺 1 引言 和器件结构有关, 还与辐照过程中器件的偏置状态 相关. 文献 [8] 研究了0.18 m 全耗尽SOI NMOS 与体硅MOSFET 相比, 基于SOI(绝缘体上硅) 在50 keV X 射线辐照下, 不同沟道长度的SOI 器 技术的MOSFET 器件的抗辐照性能优越, 已被广 件处于不同偏置状态下的辐照响应. 文献[9] 报道 泛应用于空间、军事等领域. 20 世纪90 年代以来, 了不同工艺节点的SOI MOS 器件在10 keV X 射线 因为SOI 材料质量的大幅度提高和制造成本的降 下的抗辐照性能, 通过实验研究了体接触和无体接 低, SOI 技术向消费电子领域迅速发展. 文献[1] 给 触SOI 器件的最坏偏置状态. 国内外已经发表的大 出了SOI 材料进步对现代SOI 技术发展的深远影 量论文中, 对SOI 器件在总剂量辐照条件下, 器件 响. SOI 技术实现了器件有源区和衬底的全介质隔 退化的物理机理有了一定的研究成果. 但是, 对泄 离, 消除了传统体硅CMOS 的四层p-n-p-n 闩锁效 漏电流的一些特殊现象(负栅漏电压导致漏电流随 应. SOI 技术的敏感体积比体硅小得多, 具有更好的 剂量持续增加) 仍然没有完整和成熟的理论解释. 抗单粒子及抗瞬时辐照的能力, 但是辐照导致的绝 对于不同辐照偏置条件对SOI 器件性能的影响, 有 缘埋氧层的陷阱电荷存在, 使得SOI 技术的总剂量 不同的研究结果, 看法各不相同, 甚至有的结论完 效应比体硅器件更加的复杂. 全相反. 近些年来, 国内外大量学者都针对SOI 技术的 本文主要研究0.8 m SOI NMOS 器件处于不 总剂量辐照效应进行了深入研究, 主要涉及辐照引 同偏置下, 辐照前后的栅极泄漏电流. 辐照时栅极 起的SOI 器件性能退化及物理机理 , 提出了很 偏置电压越高, 栅氧中俘获的空穴陷阱电荷越多, 多分离埋氧层中的陷阱电荷和界面态的方法, 器件泄漏电流增大. 开态偏置条件下, 测量输出特 为研究SOI 的辐照效应提供了理