薄膜淀积与外延技术科目讲解.ppt

微电子工艺学Microelectronic Processing第五章 薄膜淀积与外延技术;超薄膜: ~10nm 薄膜: 50nm─10mm 典型薄膜: 50nm ─ 1mm 厚膜: ~10mm ─ ~100mm;（1）物态;（4）组成 ;两种常见的薄膜结构;半导体薄膜：Si 介质薄膜：SiO2，Si3N4, BPSG，… 金属薄膜：Al，Cu，W，Ti，… ;淀积是指在wafer上淀积一层膜的工艺，淀积薄膜的工艺有很多种，化学气相淀积、物理气相淀积、蒸发等很多。 化学气相淀积（CVD）是通过气态物质的化学反应在wafer表面淀积一层固态薄膜的工艺。CVD法淀积薄膜可用以下几个步骤解释薄膜的生长过程：参加反应的气体传输到wafer表面；反应物扩散至wafer表面并吸附在其上；wafer表面发生化学反应，生成膜分子和副产物；膜分子沿wafer表面向膜生长区扩散并与晶格结合成膜；反应副产物 随气流流动至排气口，被排出淀积区。;1）化学气相淀积 — Chemical Vapor Deposition (CVD) 一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底表面发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。 例如：APCVD, LPCVD, PECVD, HDPCVD 2）物理气相淀积 — Physical Vapor Deposition (PVD) 利用某种物理