含乙烷桥键负性液晶合成与性能.PDFVIP

第 卷 第 期 液晶与显示 ３２ 　 １０ 　　 Vol．３２　No．１０ 　 　　　　 　　　　　　ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年 月 q y p y ２０１７ １０ 　 　 　 Oct．２０１７ 文章编号: ( ) １００７Ｇ２７８０２０１７１０Ｇ０７９４Ｇ０５ 含乙烷桥键负性液晶的合成及性能 ∗ , , , , , , 别国军 邓 登 栾允海 辛兴东 刘俞彤 高嫒嫒 杜渭松 　 ( , ) 西安彩晶光电科技股份有限公司 陕西 西安 ７１００６５ : , , . 摘要 为了满足液晶光学器件快速响应 提高相容性的要求 设计了含有乙烷桥键的负性液晶材料 ３PEPYO２ 合成路线 、 、, , 、 以丙基溴苯 对溴苄溴 二氟 乙氧基苯硼酸等为原料 通过采用格氏反应 反应和 等反应制备了 ２３Ｇ Ｇ４Ｇ Witti Suzuki g . 、 、 . 并通过气相色谱 质谱联用仪 红外 核磁共振对其结构进行了表征 差热分析获知化合物分别于 ３PEPYO２ Ｇ ７６．７７℃ . , . 进入液晶相 液晶综合参数测试结果表明化合物的 值为 值为 这些化合物在制备快速响应液晶 Δn ０．１８８６Δε －０．７９８ 光学器件中可能会有潜在的应用价值. : ; ; ; 关 键 词 乙烷桥键 负性液晶 合成 高折光 　 　 中图分类号: 文献标识码: : / O６２５．２２　　 A　　doi１０．３７８８YJYX０７９４ Snthesisand roertiesofethaneＧbridedneativeliuidcrstal y p p g g q y ∗ , , , BIEGuoＧun DENGDen LUANYunＧhai j g