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第三章 模拟集成基本单元电路 § 3．1 半导体集成电路概述 §3.2 集成电路（IC）中的电流源 3.1 .1 BJT参数的温度特性 3.1 .1 BJT参数的温度特性 3.1.2 主要镜像电流源 3.1.2 主要镜像电流源 二 主要镜像电流源 1 基本镜像电流源： 2．精密镜像电流源 二 主要镜像电流源 二 主要镜像电流源 二 主要镜像电流源 4 威尔逊电流源（高输出阻抗精密电流源） 三 对电源电压变化不敏感的偏置电流源 * §3.2 集成电路（IC）中的电流源 §3.2 带电流源（恒流源）的放大电路 §3.3 差动（差分）放大电路的特性与分析 §3.4 乙类推挽输出级电路与功率放大器 返回 § 3．1 半导体集成电路概述 返回 第一块集成电路出现于1958年。在使用电子电路的绝大多数场合，IC已经基本上取代了分立元件电路。 集成电路按处理信号的类型可分为数字IC和模拟IC。 模拟集成电路因其制造工艺的特殊性，使它在电路设计、元件选取等方面与分立元件电路有所不同。归纳起来，模拟IC工艺大致有以下特点： 1．晶体管(BJT)按标准工艺制作，成本低且占用硅片面 积小。二极管一般都用BJT的一个PN结担任，不再用专门工艺生产。 2．生产电阻的工艺不比生产晶体管的工艺简单，而且电阻值越大，占用硅片面积越大。 3．制造数十皮法以上的电容将占用很大的硅片面积，电路中使用电容非常不合算。 4．无法集成电感元件。 5．集成电路易于生产配对的元件(相对误差1％以下)，但元件的绝对误差较大(绝对误差20％)。 3.2 .1 BJT参数的温度特性 3.2.2 主要镜像电流源 返回 B UBE IB · Q i B A Q/ · 休息2 休息1 返回 i C Q IC UCE G F · i C IC G F · Q/ 休息2 休息1 返回 i C Q IC UCE G F · i C IC G F · Q/ u i I Δu Δi 休息2 休息1 返回 （1）BJT的基本恒流原理 恒流源的端口电压u可以在很大范围内变化，但端口电流I 却改变很小，其原因是端口的动态电阻—恒流源内阻ro很大，当ro= ∞时，就是理想恒流源。 I ro= Δu/ Δi + Δ u - i=I+ Δi I BQ I CQ + uCE - + UBEQ - R C R b D EC ro iC= ICQ+ic ICQ ro≈ rce + uCE - Δu Δi 如果让BJT偏置在放大区，固定其基极偏流IBQ则C--E之间就等效成为一个恒流源 iC ICQ uCE I BQ UCEQ EC + U BE — I R I C1 I C2 I B2 I B1 电路仿真 返回 休息2 休息1 EC + U BE — I R I C1 I C2 2I B I B2 I B1 返回 休息2 休息1 EC + U BE — I R I C1 I C2 2I B I B2 I B1 ro IC4 IR IC（n+1） IC3 IC2 （n+1）IB IC2 IC3 IC4 IC（n+1） 返回 休息2 休息1 电路仿真 EC + U BE — I R I C1 I C2 I B2 I B1 IE3 I B3 电路仿真 休息2 休息1 EC 返回 EC + U BE — I R I C1 I C2 I B2 I B1 IE3 I B3 ro + UCE1 - UBE3 UBE2 休息2 休息1 返回 EC IC1 IR IC2 2I B ro UBE1 UBE3 电路仿真 休息2 休息1 返回 (3)显然，该恒流源电路的输出电流IC2的精度并不高，与基本镜像恒流源的相同。但该电路的特点是输出电阻ro很大。 实际应用中，由于考虑到BJT的基区宽调效应，一般工程中常取 ro EC IC1 IC2 IB2 IC3 IE2 IC2 + UBE _ IR IB2 IC1 IC3 IE2 2IB IC2 IE1 电路仿真 休息2 休息1 返回 EC + UBE _ IR IB2 IC1 IC3 IE2 2IB IC2 IE1 休息2 休息1 返回 (2) 电路分析： ? IR=IC1+IB2 , IB2=IC2 /β , IC1=IC3 ( UBE1= UBE2= UBE ) IC3=IE2 -2IB=IE2 -2IC3 /β EC U B I R I C2 I E2 电路仿真 休息2 休息1 I E1 I C1 返回