课件：半导体的导电性.pptVIP

各类材料的电导率 三. 迁移率与杂质和温度的关系 散射几率，平均自由时间和温度的关系： 光学波散射 电离杂质散射 声学波散射 因为任何情况下，几种散射机制都会同时存在 对Si、Ge主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射 对于GaAs，须考虑光学波散射 结论：对低掺杂的样品PsPi，迁移率随温度增加 而减低。 ①高掺杂样品 （Ni1018/cm3） 低温下（250℃以下），杂质散射起主要作用，随Ｔ　　　　　 高温下（ 250℃以上），晶格散射起主要作用，随Ｔ　　　 ② 随Ni的增加，　均减小。 电子迁移率 空穴迁移率 Ge在300K下的电子迁移率和空穴迁移率 1、对于半导体材料，相同温度下，电子迁移率大于空穴迁移率 2、迁移率与杂质浓度有关，当半导体参杂杂质时，电子迁移率与空穴迁移率的差别随着杂质浓度的增大而增大。 迁移率与导电类型无关，P型半导体中的空穴（多子）与N型半导体中的空穴（少子）在其他条件相同的情况下迁移率趋于相同 同理，N型半导体中的电子（多子）与P型半导体的电子（少子）在其他情况相同时，迁移率相同。 例题 试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1450cm2/(V.s)和500cm2/(V.s)，当参入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率，比本征硅的电导率增到了多少？ §4.４ 电阻率与杂质浓度和温度的关系 一、电阻率和杂质浓度的关系 300k时，本征 Si: ?=2.3×105Ω· cm ， 本征Ge: ? =47 Ω· cm 本征GaAs: ? =200 Ω· cm ?与n、 ? 有关，n、 ? 　与温度Ｔ和掺杂浓度Ｎ有关。 　　轻掺杂时（1016～1018cm-3）：室温下杂质全部电离，载流子浓度增大，轻掺杂时，?随Ｎ的变化不大，电阻率与杂质浓度成反比。 　重掺杂时（1018cm-3）: ① 杂质在室温下不能全部电离。 ② 迁移率随电离杂质浓度增加而下降。 (1) ?与Ｎ的关系 室温下，Si的电阻率与杂质浓度的关系 室温下，Ge和GaAs电阻率与杂质浓度的关系 杂质半导体：随温度Ｔ增加，有杂质电离和本征激发，有电离杂质散射和晶格振动散射。 二、电阻率随温度的变化 本征半导体：随温度Ｔ增加，ni(即n和p）急剧增加，而迁移率稍有下降，总的电阻率随温度增加而下降。 （1）AB段:　低温杂质电离区 温度很低，本征激发可以忽略。载流子主要由杂质电离提供，随Ｔ上升，n增加。迁移率主要由电离杂质散射起主要作用，?随Ｔ上升而增加。所以，电阻率随温度升高而下降。 （2）BC段:　饱和区 杂质全部电离，本征激发不十分显著，载流子浓度基本不变，晶格散射起主要作用，?随Ｔ的增加而降低。所以电阻率随Ｔ的增加而增加。 （3）CD段:　高温本征激发区 大量本征载流子的产生迁移率的减少相对小的多。因此，?随Ｔ上升而急剧下降，表现为本征载流子的特性。 　注意：进入本征导电区的温度与掺杂浓度和禁带宽度有关。同一种半导体材料，掺杂浓度高，进入本征激发的温度高；不同种材料，Eg大，进入本征激发温度高。到本征激发区，器件就不能正常工作。 　Ge器件最高工作温度100℃ 　Si器件最高工作温度250℃ 　GaAs器件最高工作温度450℃ 本章小结 一 重要术语解释 1．漂移：在电场作用下，载流子的运动过程。 2．漂移电流：载流子漂移形成的电流。 3．漂移速度：电场中载流子的平均漂移速度。 4．迁移率：关于载流子漂移和电场强度的参数。 5．电阻率：电导率的倒数；计算电阻的材料参数。 6．电导率：关于载流子的材料参数；可量化为漂移电流密度和电场强度之比。 7．电离杂质散射：载流子和电离杂质原子之间的相互作用。 8．晶格散射：载流子和热振动晶格原子之间的相互作用。 公式 平均漂移速度和迁移率 电流密度和电导率，电阻率 散射概率，平均自由时间和迁移率 室温下，本征锗的电阻率为47 。若锗原子的浓度为 ，掺入施主杂质，使每 个锗原子中有一个杂质原子，（1）试求本征载流子浓度。（2）计算室温下电子浓度和空穴浓度 (设杂质全部电离)。（3）试求该掺杂锗材料的电 阻率。设 ， 且认为 不随掺杂而变化。（4）若流过样品的电流密度为 ，求所加的电场强度。 ， 测 试 THANK YOU SUCCESS * * 可编辑 第四章 半导体中的导电性 The conductivity of Semiconductor §4.1载流子的漂移运动 迁移率 一