基于65nm体硅CMOS的8管锁存器抗辐射版图加固技术研究-电路与系统专业论文.docxVIP

AbstractTCAD Abstract TCAD ph)7sical models and HSPICE models for simulation，with and without Guard-ring．Result show that this design has good effect and easily conducted．It Call provide references to the design of radiation hardening on 8-Transistor latch． Key Words：TCAD；8-Transistor latch；Guard—ring 万方数据 基于65nm体硅CMOS的8管锁存器抗辐射版图加固技术研究目录 基于65nm体硅CMOS的8管锁存器抗辐射版图加固技术研究 目录 摘要 ．I Abstract． ． ．．． ． ．． ．．．． ． ．．．． ． ．．II 第一章绪论 1 1．1研究背景 ．1 1．1．1辐射环境 ．．1 1．1．2电离辐射效应 ．2 1．2国内外研究现状 6 1．2．1电荷收集机理研究 ．6 1．2．2电路级模型研究 ．6 1．2．3脉冲测量研究 。7 1．2．4加固技术研究 一7 1．3课题研究内容 一1 1 1．4论文组织结构 ．．1 1 第二章抗辐射加固技术基本原理 12 2．1工艺级加固 ．．12 2．1．1绝缘衬底上硅加固技术 。12 2．1．2三阱工艺加固技术 ．．14 2．2电路级加固 ～15 2．2．1存储电路加固 15 2．2．2组合电路加固 16 2．3版图级加固 17 2．4本章小结 19 第三章基于TCAD工具的相关器件建模 。20 3．1 Sentaurus TCAD简介 20 3．2单管TCAD模型 ．20 3．3模型校准 ．22 3．4反相器TC．M)模型 ■ 28 3．5 8管锁存器TCAD模型 ．30 IV 万方数据 目录3．6小间距8管锁存器TCAD模型 目录 3．6小间距8管锁存器TCAD模型 34 3．7本章小结 ．．35 第四章8管锁存器版图加固设计 ．36 4．1保护环版图加固技术 36 4．2加固的8管锁存器TCAD模型 36 4．3 8管锁存器版图加固效果研究 一37 4．3．1未加固的8管锁存器混合仿真 一37 4．3．2加固的8管锁存器混仿 38 4．4本章小结 ．40 第五章总结与展望 ．4l 5．1研究总结 一4l 5．2工作展望 一42 参考文献 45 致谢 ．50 V 万方数据 第一章绪论第一章绪论 第一章绪论 第一章绪论 1．1研究背景 神舟系列宇宙飞船实现了中国人太空行走的梦想，嫦娥系列探月卫星的成功 发射也标志着中国步入航天大国。这些举世瞩目的成就都和航天科技以及辐射加 固技术的不断进步息息相关。 太空环境中，来自高能粒子的辐射危害相当严重，而针对锁存器进行辐射加 固是航天器在太空中能够高效而准确运行的有力保障。早期的辐射加固多采用绝 缘衬底上硅(SOl，Silicon On Insulator)I艺级加固技术，采用SOI加固技术的器 件具有较强的抗辐射能力和较低的功耗，能够消除闩锁效应。但是，采用SOl 加固技术的器件除了生产成本昂贵和本身具有的材料缺陷之外，还需要特殊的工 艺线来实现。相比之下，基于体硅CMOS技术的辐射加固器件，具有低成本和 高性能并且易于实现的优势，并且在抗辐射领域得到了广泛的应用。本文对于 65nm体硅CMOS工艺下的8管锁存器单元进行了辐射加固研究，同时基于TCAD 工具对其进行三维建模和加固仿真，并且实现了预期的辐射加固效果。 1．1．1辐射环境 集成电路是整个航天器的核心，随着航空航天产业的不断进步以及芯片集成 度的提高，要求集成电路在工作状态下具有更加严格的稳定性和抗干扰能力，特 别是抗辐射能力。这是因为在太空环境中，航天器时时刻刻与大量的高能粒子相 互接触，其中包括宇宙射线、太阳辐射、极光辐射、艾伦辐射带等。这些辐射可 能会导致集成电路中的关键器件产生单粒子效应(SEE，Single Event Effect)t1】，使 得存储值发生改变和逻辑信号出错，导致航天器的软错误率大大提高，更严重的 情况下会使得芯片的功能出现故障。 1．宇宙射线 宇宙射线粒子的构成具有多样化的特点，原因是这种高能带电粒子流具有广 泛的来源。其主要组成部分是单纯的质子，其次是氦原子核。这些质子和氦原子 核都具有极大穿透能力和破坏性，对航空航天器件的可靠性和安全性能有很大的 影响。 2．太阳耀斑 万方数据 基于65nm体硅cMOS的8管锁存器抗辐射版图加固技术研究太阳耀斑是指太阳表面无周期性的发生局部区域短时间增亮的现象，是太阳 基于65nm体硅cMOS的8