课件：第三章-材料的介电性能1.ppt

3.2 交变电场下的电介质 3.2.3 介电损耗分析： 1）频率的影响： ?很小时，?→0，各种极化机制均跟上电场的变化，不存在极化损耗。介质损耗主要由电介质的漏电引起，与频率无关。 外加电场的频率增加至某一值时，松驰极化跟不上电场变化，则随?增加，εr减小 ?很小，??1，随?增加， ???增加，tan δ增加。 ?很高， εr?ε∞， εr趋向最小值，当??1, ???减小，tan δ减小 tan δ在?m时有极值 3.2 交变电场下的电介质 3.2.3 介电损耗分析： 2）温度的影响： 温度很低时，?较大，此时w2 ? 21, 温度升高， ?减小，则εr?和tan δ增加 (2) 温度较高时， ?较小，此时?2 ? 21 温度升高，?减小，则tan δ减小。 电导上升不明显，Pw也减小。 (3) 温度很高时，离子振动很大，离子迁移受热振动阻碍增大，极化减弱， εr减小，电导急剧上升，故tan δ也增大。 THANK YOU SUCCESS * * 可编辑 可编辑 3.1 电介质及其极化 3.1.2 介电常数 1）材料因素：ε 材料在电场中被极化的能力 2）尺寸因素： d 和A ：平板间的距离和面积 如果介电介质为真空： 在平行板电容器间放置某些材料，会使电容器存储电荷的能力增加，CC0 真空介电常数：ε0 =8.85×10-12 F. m-1(法拉/米) 相对介电常数：εr 介电常数（电容率）： ?=?0?r(F/m) 介电常数是描述某种材料放入电容器中增加电容器存储电荷能力的物理量。 材料 频率范围/Hz 相对介电常数 二氧化硅玻璃 102-1010 3.78 金刚石 直流 6.6 ?-SiC 直流 9.70 多晶ZnS 直流 8.7 聚乙烯 60 2.28 聚氯乙烯 60 3.0 聚甲基丙烯酸甲酯 60 3.5 钛酸钡 106 3000 刚玉 60 9 3）电介质的极化： 介电材料：放在平板电容器中增加电容的材料 电介质：在电场作用下能建立极化的物质。 在真空平板电容器中，嵌入一块电介质。加入外电场时，在正极附近的介质表面感应出负电荷，负极板附件的介质表面感应出正电荷，这些电荷称为感应电荷或束缚电荷。 极化：电介质在电场作用产生束缚电荷的现象。 例：一个简单的平行板电容器，3kV时存10-4C的电荷，电介质厚0.02cm, 计算使用面积。（分真空，BaTiO3，云母三种情况，介电常数分别为1、3000和7） 3.1.3 极化相关的物理量 1）电偶极矩：带有等量异号电荷并且相距一段距离的荷电质点，形成电偶极矩 对于极性分子电介质，由于分子的正负电荷中心不重合，存在电偶极矩；对于非极性分子电解质，由于外界作用，正负电荷中心瞬时分离，也产生电偶极距。 电偶极子：具有一个正极和一个负极的分子或结构. 2）极化电荷：和外电场相垂直的电介质表面分别出现的正负电荷，不能自由移动，也不能离开，总保持电中性。 极化强度P：电介质极化程度的量度，单位体积内的电偶极矩，数值上等于分子表面电荷密度σ； Xe: 极化率, 不同材料具有不同的值。 它和实际有效电场有关，实际电场包括(1)外加电场；(2)极化电荷自身的电场 可以证明： 所以有： 令电位移D为： 代入得： 在各向同性的电介质中，电位移等于场强的ε 倍。 3.1.4 电介质极化的机制： 电子极化，离子极化，电偶极子取向，空间电荷极化，分别对应电子、原子、分子和空间电荷情况。 位移极化，由电子或离子位移产生电偶极距而产生的极化。分为电子位移极化和离子位移极化。 1）电子位移极化：材料在外电场的作用下，原子中的 电子云将偏离带正电的原子核这个中心，原子就成为一个 暂时的感应的偶极子。 这种极化可以在光频下进行，10-14-10-10S 可逆 与温度无关 产生于所有材料中 电子极化率的大小与原子(离子)的半径有关 E - + d + - - - - - - - - 例：500V的电场作用下，Ni原子的电子云从原子核的电荷中心偏离10-9nm,Ni为FCC结构，晶格常数为0.351nm, 设金属中所有电子对电子极化均有贡献，计算极化强度（Ni的原子