课件：第三章晶体管的开关特性与击穿电压解析.ppt

P-N-P-N 二极管 在正向区工作的P-N-P-N二极管是一个双稳态器件，它能在高阻的关断态和低阻的导通态之间互相转换。 可以把它看成两个背对背连接的晶体管，一个是PNP管BJT1另一个是NPN管BJT2 ，中间的P区和N区为两个晶体管共有。 BJT1的基区和BJT2的集电区相连。 IB1=IC2 IC1=IB2 令两个晶体管的电流增益分别为a1、a2，漏电流分别为IC01、 IC02，则有： IB1=IC2 IE1=IE2 =I 式中： 小电流时，a1、a2比1小得多，流过器件的电流就是漏电流IC0，当外加电压增加到正向转折（或开关）电压时， a1+a2接近于1，流过器件的电流迅速增大，即器件发生转折。 在正向关断时，J1和J3结正偏， J2结反偏，外加偏压主要降落在J2结上。中心结对来自J1的空穴和来自J3的电子皆起集电结的作用，使得J2结正偏，器件上的电压突然下降，器件进入正向导通状态。 在反向关断状态，J2结正偏，J1和J3结反偏，内部N区一般是高阻区，反向偏压主要降落在J1结上。 对于三端的半导体可控整流器，通过在控制极加一触发信号，等效NPN管首先导通，信号电流被放大，随即驱动等效的PNP管导通。 NPN PNP 由于两个晶体管的集电极电流分别流向另一个晶体管的基极，所以器件被信号触发以后就维持导通，而不需要触发信号继续存在，只有加在两端的电压下降到零或反向时器件才关断。 控制极 触发信号 THANK YOU SUCCESS * * 可编辑 Physics of Semiconductor Devices Physics of Semiconductor Devices Physics of Semiconductor Devices 3.10、3.11、3.12 一 开关波形和开关时间的定义 1．理想晶体管的开关波形 晶体管开关电路 理想晶体管的输入和输出脉冲波形 当输入端为脉冲波形时，在理想的情况下，输出波形和输入波形完全相仿，只是被放大和倒相。 饱和压降 晶体管处于开关状态往返于饱和（开）和截止（关）区 2．实际晶体管的开关波形与开关时间 输入电压波形 基极电流波形 集电极电流波形 输出电压波形 ① 延迟时间 ② 上升时间 ③ 贮存时间 ④ 下降时间 0.1 ICS 0.9 ICS 晶体管的开关时间： 1、开启时间 2、关闭时间 0.9 ICS 开启时间和关闭时间大致在几纳秒到几十微秒范围内。 1、当输入负脉冲的持续时间及其周期比开关时间大得多时，晶体管能很好地起开关作用 开关时间对脉冲波形的影响 2、当输入负脉冲(关断晶体管)的持续时间及其周期和开关时间相近，甚至比开关时间更小时，那么在晶体管关断过程中(下降过程)，输出电压尚未上升到高电平(晶体管还没有彻底关断)时，第二个高电平脉冲就来了晶体管又开始导通了，晶体管就失去了开关作用。 由于晶体管的开关速度的限制，输入脉冲的宽度不能太窄，频率不能太高。 二 开关过程和影响开关时间的因素 1．延迟过程和延迟时间 td 发射结保持负偏压或零偏压的状态 发射结的偏压变正，有电子入注入到基区 发射结正向电压上升到0.5V，正向电流很小 集电极电流接近1/10ICS 开启之前，处于截止态，发射结和集电结反偏。 这一段时间就是延迟时间 td 2．上升过程和上升时间 tr 发射结偏压继续上升，从0.5V变到0.7V左右 注入到基区的电子增多，电子的浓度梯度增大，集电极电流增大 0.9 ICS 集电结的负偏压逐渐减小，一直减小到零偏压附近。 当 IC = ICS 晶体管进入临界饱和区 上升过程，基极电流作用： ① 增加基区电荷积累，增大基区少子分布梯度使集电极电流上升； ② 继续对发射结集电结势垒电容充电，使结的压降继续上升结压降上升又使基区电荷积累增加，如此循环使集电极电流不断增加； ③ 补充基区中因复合而损失的空穴。 浓度梯度不再变化 3．贮存电荷和贮存时间 ts 处于过驱动状态，基极驱动电流很大 超量存储电荷空穴 Qb’ 保持电中性，基区中也要有等量的电子电荷积累－Qb’ 集电结处于正偏，集电区将向基区注入电子 真正进入了饱和区，达到稳定状态 集电结正偏 集电结零偏 超量存储电荷 空穴积累 进入深饱和区 基区注入空穴与复合减少的空穴相等时，基区积累电荷不再变化 超量存储电荷 基区也将向集电区注入空穴 基极电压突然变负，在基极产生了抽取电流 抽取贮存电荷Qb’ Qc’的作用 （全部抽走以前，基区中的电子浓度梯度不会减小） 贮存电荷被全部抽走－－贮存时间 （还应加上从 ICS 下降到0.9 ICS 所需的时间，才是贮存时间） 4．下降过程和下降时间 tf 基区中还存在积累电荷 Qb IB’ 继续从基区中抽取空穴，并且基区中积累的电子和空穴不断地复合 电子和空