过程检测技术及仪表3章压力压差.ppt

ppt课件 ppt课件 VH=RH×B×I——VH与B、I均有关 VH:霍尔电势，大小约几十mV ； RH：霍尔常数，单位：mV/mA(千高斯) I：控制电流（通过霍尔片的电流），大小约3-20mA B:垂直作用于霍尔片的磁感应强度，一般为几千高斯 VH： 导体的霍尔效应比半导体小得多，因而霍尔片用半导体做比较多。 霍尔片与弹簧管自由端连在一起，压力变化，弹簧管自由端产生位移，霍尔片在非均匀磁场中的位置改变（相当于B会改变），进而VH改变。这样就实现了把压力转变成位移再转变成VH的变化。 * ppt课件 ppt课件 ——压阻式（扩散硅）压力/差压变送器 因电阻率变化引起阻值变化称为压阻效应。半导体材料的压阻效应比较明显。 用作压阻式传感器的基片材料主要为硅片和锗片，由于单晶硅材料纯、功耗小、滞后和蠕变极小、机械稳定性好，而且传感器的制造工艺和硅集成电路工艺有很好的兼容性，以扩散硅压阻传感器作为检测元件的压力检测仪表得到了广泛的使用。 * ppt课件 ppt课件 p2 p1 硅杯 图3-30 压阻式传感器示意图 正压侧隔离膜片 引出线 负压侧隔离膜片 硅油 * ppt课件 ppt课件 测量部分——扩散硅压阻传感器 ——把被测差压ΔP成比例地转换为不平衡电压US 1.负压室 2.正压室 3.硅杯 4.引线 5.硅片 Ri1 Ri2 Ri3 Ri4 * ppt课件 ppt课