第六章 光刻曝光系统.pptx

光学仪器工程及系统设计;光刻曝光系统;光刻发展历史;光刻发展历史;;杰克. 基尔比 Jack S. Kilby? 集成电路发明者 提出 大胆的设想： “能不能将电阻、电容、晶体管等电子元器件都安置在一个半导体单片上？” 1958-9-12研制出世界上第一块集成电路 2000年获诺贝尔物理学奖 ;* 光刻机发展路线图;光刻机三巨头;光刻发展背景;什么是光刻？;wafer;光 刻 定 义;光刻工艺的简介;;;;;;至此，光刻工艺简介告一段落，经过显影后的QC检验后即可送往下步工序。 光刻的下步工序为：湿法腐蚀、干法刻蚀、离子注入;通过湿法腐蚀，主要用于去除掉没有光刻胶保护部分的氧化硅层或铝层。 利用光刻胶的抗蚀性和阻隔离子的能力，有选择的保护硅片表面的氧化层、氮化硅层、铝层等等，就是光刻工艺的意义。;光刻工艺总结;根据以上介绍，可将整个芯片制造流程简单总结如下：;光刻技术的发展;光刻技术的发展;光刻分类;光刻分类;按工作波长可分为：;光刻仿真软件;光刻小结;光刻机总体结构（汞灯）;;;;决定光刻图案的是Wafer上的光强分布;▼ 分辨率定义;光刻原理;;光刻分辨率影响因素;光刻分辨率提高方法;浸液提高分辨率;分辨率与k1因子;降低k1的方式;主要分辨率增强(RET)技术; 两次曝光技术把原来一次光刻用的掩模图形交替式地分成两块掩模，每块掩模上图形的分辨率可以减少一半，减少了曝光设备分辨率的压力，同时还可以利用第二块掩模版对第一次曝光的图形进行修整； 两次曝光是有效地拓展现有光刻曝光设备的技术延伸，不必等待更高的分辨率和更高数值孔径系统的出现就可以投入下一个节点产品的生产； 存在问题，如对套刻精度要求更苛刻和生产效率降低的问题； 两次曝光两次刻蚀；两次曝光一次显影；两次曝光两次显影；侧壁自对准刻蚀;光刻原理;曝光系统基本结构;曝光系统基本功能;;;光 源;照明系统;;照明系统;照明系统;照明系统;照明系统;照明系统;;照明系统各单元;照明系统各单元;顶 部 模 块;离轴照明原理;部分相干光照明;部分相干因子;;部分相干因子对MTF的影响;离轴照明优点;思考题答案;离轴照明对MTF的影响;离轴照明方式;照明方式对比;离轴照明方式与K1关系;离轴照明实现方法;折射光学元件实现OAI;衍射光学元件（DOE）;;投影物镜;作为投影光刻系统的核心器件，投影光刻物镜的发展就代表着光刻技术的发展。投影光刻物镜发展的主要特征是视场越来越大，分辨率越来越高（工作波长越来越短，数值孔径越来越高），当然系统也越来越复杂;193nm（ArF）投影光刻物镜发展概况— Carl Zeiss;实物图片—Carl Zeiss;投影物镜;折反式;反射式;高性能投影光刻物镜的关键是高数值孔径（NA）和极小的系统波像差,而这两者相互矛盾和约束, 越高的数值孔径，光学系统的波像差就越难校正 数值孔径 分辨率 系统波像差 成像对比度;;波像差的Zernike多项式表示;像差影响 降低对比度（Reduction of contrast） 偶数项像差影响 像面轴向移动 轴向不对称 基数项像差影响 像面横向移动 横向不对称 ;高NA、极小像差的解决办法：非球面元件，浸液装置，反射元件 ;非球面应用的优缺点;模拟验证——采用非球面的193nm高NA光刻物镜;浸液的使用;反射元件在光学设计中的应用;反射元件;模拟验证——折反浸液式193nm超高NA光刻物镜;光刻曝光系统基本结构;曝光系统技术难点;照明系统技术难点;高NA浸没极小像差投影物镜设计;超高精度光学加工技术难点; 镀膜技术难点;高精度光学检测技术难点;投影物镜机械结构系统 包括镜筒、镜框、调节机构、可变光阑、精密环控单元等 为光学元件提供高稳定性、高精度、无应力的径向和轴向支撑 消除光学元件因机械结构作用产生的应力形变及自身重力形变所导致的系统像质劣化 降低温度、气压、震动等环境因素对系统稳定性的影响 实现对投影光刻系统倍率、光学系统波像差等参数的微细调节 高稳定、高精度、环境作用对光学元件无影响的物镜机械结构 光学元件无应力支撑、镜筒超精密结构、高精度温度控制、高精度气体环境控制、物镜防震机构;小结： 这部分内容向大家介绍了光刻曝光系统的一些技术难点，它包括了光学设计，光学检测，光学加工，镀膜，精密机械等很多方面，主要告诉大家光刻曝光系统那些事情不太好做。通过难点介绍也可以发现，在座的同学们所学的专业都是有用的，光刻所用的基本上都是各个领域中的精华部分，所以，同学们不要过分在乎专业的好坏（这个没有觉对），踏实干好自己的那一行，都能派上大用场。诚然，兴趣这个因素也