光电子材料与技术-半导体发光材料及器件.ppt

1.5.3 气体放电光源 不同汞蒸气压下光谱能量分布 主要为253.7 nm紫外光 红外辐射加强 很好的点光源 汞原子辐射发光：线状谱 电子与离子复合发光，激发原子与正常原子碰撞发光：带状谱 1.5.3 气体放电光源 钠灯 钠灯类似于汞灯，但放电管中充的是氖气、氩气和金属钠滴 通电后，氖气放电：红光 放电发热，钠-钠蒸气：橙黄色光 低压钠灯：589.0 nm、589.6 nm两条谱线 高压钠灯：接近白色 1.5.4 LED发光二极管 半导体PN结发光： 通过正向电流，使得电子和空穴复合发光， 其工作电压低、响应速度快、寿命长、体积小、重量轻，因此获得了广泛的应用 LED发光属于自发辐射，发射荧光，非相干光 半导体激光器(LD)是受激辐射，利用谐振腔反复震荡发射光强较强，相干光 1.5.4 LED发光二极管 发光二极管的优点 效率高：80~90%，而白炽灯用于照明只有10~20%，大部分为红外辐射 光色纯：光谱较白炽灯窄，色彩鲜明 能耗小：0.05~1W/h 寿命长：光通量衰减到70%的标称寿命为100000h 可靠耐用：使用环境广泛，非正常报废可能性小，维护费用低 应用灵活：体积小，易开发成轻、薄、小、点、线、面阵各种形式的应用产品 绿色环保：可回收、无污染 1.5.4 LED发光二极管 白光LED的种类 芯片/荧光粉 蓝色LED InGaN/黄色荧光粉（如YAG:Ce） InGaN 的蓝光与黄光混合成白光 紫外LED InGaN/白色荧光粉 InGaN 的紫外光激发白色荧光粉发白光 紫外LED InGaN/三基色荧光粉 InGaN 的紫外光激发红绿蓝三基色荧光粉发白光 芯片 多种光色LED InGaN , AlInGaP ,GaP 将多种光色的芯片封装在一起，构成白色 LED * 提问：是否电子可以在任意的位置移动？ 相互中间隔的很远时 是N度简并的； 相互中间隔的很远时，是N度简并的； 相互靠近组成晶体后，能带宽度ΔE是取决于两个最相邻的原子，而并不依赖于原子的数目。因此它们的能级便分裂成N个彼此靠得很近的能级简 赖于原子的数目，因此，它们的能级便分裂成N个彼此靠得很近的能级，简并消失。这N个能级组成一个能带，称为允许带（允许电子占据的能带）。 * 关于布洛赫定理的证明，有兴趣的读者可以查阅《固体物理学》黄昆原著 韩汝琦改编 （1988）P154 * * * * * 外层轨道先开始分裂 * * 导带电子在外电场的作用下产生定性移动，从而具有一定的导电性。 空穴在外电场的作用下同样会沿着电场方向移动，从而增加半导体的导电性。 两者统称为载流子。 * 系统处于平衡态须同时满足两个条件：1、系统与外界在宏观上无能量和物质的交换；2、系统的宏观性质不随时间变化。 平衡态仅指系统的宏观性质不随时间变化，从微观的角度来说，组成系统的大量粒子仍在不停地、无规则地运动着，只是大量粒子运动的平均效果不变，这在宏观上表现为系统达到平衡，因此这种平衡态又称热动平衡态。 费米能级EF的意义：当系统处于热平衡状态，也不对外界做功的情况下，系统中增加一个电子所引起的系统自由能的变化，等于系统的化学势，即系统的费米能级。处于热平衡状态的系统有统一的化学势，所以处于热平衡状态的电子系统有统一的费米能级。 * 扩散是自主性的，而偏移是被动的 * 两种发光形式时有所不同的，光致发光：荧光粉，长余辉材料；电致发光：以后续的pn结为例 * 强调这个！！ * 一定条件：直接带隙，材料本身特性（透明）之类 在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光， 770～622nm，感觉为红色；622～597nm，橙色；597～577nm，黄色；577～492nm，绿色；492～455nm，蓝靛色；455～350nm，紫色。 * MOCVD：一种利用有机金属热分解反应进行气相外延生长薄 膜的化学气相沉积技术。 * 固溶体：矿物质一定结晶构造位置上的互相置换，而不改变整个晶体的结构及对称性。它是一种或多种溶质原子溶于固态金属溶剂中所形成的合金相。 * P9 图1-11 * P9 图1-11 * P9 图1-11 * 为什么选择硅基？硅本身是间接带隙，发光弱，以硅为基底，结合发光材料，既达到发光的功能又能与其他系统相结合。 建立在硅材料基础之上的微电子技术对人类社会的进步发挥了巨大的作用，对我国国民经济的发展，工业、科技和国防的现代化也起着至关重要的作用。在进入21世纪以后，我国正大力发展微电子工业，有望成为新兴的国际微电子工业基地，是国家发展的重大需求所在。随着信息产业的发展，信息数据将海量增加，对信息计算、传输等技术在今后的发展也提出了更高的要求和挑战。其主要的解决途径之一