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IGBT驱动Richard Zhu Marketing High Power2015-09-18COMPANY CONFIDENTIAL内容COMPANY CONFIDENTIAL?2015 Power Integrations | IGBT驱动简介信号传输技术驱动电路拓扑驱动隔离电源Vcesat检测门极钳位有源钳位软关断简介IGBT驱动可包括以下几部分：基本功能：用来控制IGBT的门极以实现IGBT的开通和关断。IGBT门极呈现的是容性特征，需要储备或者释放一定数量的电荷量才能开通或者关断流过集电极的电流。保护功能：为了避免IGBT在正常工作的过程中不受到损坏，IGBT驱动也需要提供短路保护，Vce过压保护，门极欠压保护等功能。电气隔离：由于驱动器控制的是IGBT的门极，副边电路参考的电位都是IGBT的发射极，处于较高电位，因此IGBT驱动电路的设计需要满足安规要求---电气间隙，爬电距离。COMPANY CONFIDENTIAL?2015 Power Integrations | 基本功能IGBT开通T1开通，T2关断。+15V电源通过Rg,on给IGBT门极进行充电当IGBT门极电压到达UGE,th之后，集电极电流开始增长；COMPANY CONFIDENTIAL?2015 Power Integrations | 基本功能COMPANY CONFIDENTIAL?2015 Power Integrations | IGBT关断T1关断，T2开通。IGBT经由Rg,off给-10V电压源放电。基本功能COMPANY CONFIDENTIAL?2015 Power Integrations | IGBT开关要素门极电压电平门极电阻门极电荷量门极杂散电感基本功能FF450R17ME4COMPANY CONFIDENTIAL?2015 Power Integrations | IGBT开关要素门极电压电平—开通过程需要在IGBT门极施加正电平电压源使IGBT处于导通饱和区通常推荐采用+15V导通饱和压降与门极电压电平成反比短路电流与门极电压成正比基本功能COMPANY CONFIDENTIAL?2015 Power Integrations | IGBT开关要素门极电压电平—关断过程需要在IGBT门极施加负电平电压源通常推荐使用-8V…-10V电平的负电压源，避免半桥拓扑IGBT发生直通现象有缘米勒钳位---Active Miller Clamping基本功能COMPANY CONFIDENTIAL?2015 Power Integrations | IGBT开关要素门极电阻—强烈影响着IGBT开关过程时的主物理量开通电阻Rg,on 越小IGBT开关速度(di/dt)越快开通损耗越低间接影响二极管的反向恢复电流斜率关断电阻Rg,off 越大IGBT关断速度(di/dt)越慢电压尖峰越小，IGBT损耗大存在桥臂直通的可能性电阻的使用推荐在曲线范围内开关电阻的选配可通过双脉冲测试来验证基本功能COMPANY CONFIDENTIAL?2015 Power Integrations | IGBT开关要素门极电阻配置方法二极管需选择快速导通且正向压降低的器件信号传输技术信号传输技术：电平转换器：单一电平控制技术来对IGBT门极进行开关；光耦：采用光隔离技术。只能起到信号隔离作用。需要外部提供隔离电源。脉冲变压器：采用磁隔离技术，信号和电源均采用变压器进行传输。光纤传输：满足任何电压等级的应用，需要给光纤提供一路稳压并带隔离的直流电源。可实现远距离信号传输。Optic linkOpto-couplerTransformerLevel ShifterCOMPANY CONFIDENTIAL?2015 Power Integrations | 信号传输技术电平转换器：电平转换器：无任何隔离措施，适用于600V以下IGBT模块采用单一电平控制技术COMPANY CONFIDENTIAL?2015 Power Integrations | 信号传输技术低压侧高压侧COMPANY CONFIDENTIAL?2015 Power Integrations | 光耦原方/副方之间采用光耦技术进行隔离隔离电压等级有限本身不带DC/DC 电源传输时延较大，不适合直接并联应用传输延迟时间误差会影响死区时间的设置导致变流器输出电流的失真这个参数随寿命的变化而变化信号单向传输信号传输(uC?IGBT门极)单向传输故障信号(IGBT门极?uC)单向反馈光耦产品目前多使用在Vce=1.2kV场合光耦技术可以实现更高电压等级的应用因为电气间隙的原因需要更大封装目前市场上暂时没有Vce1.5kV的光耦信号传输技术COMP