3.4.2 闪速存储器 闪速存储器(Flash Memory) 一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器,它突破了传统的存储器体系,改善了现有存储器的特性。 闪速存储器是在EPROM功能基础上,增加了电路的电擦除和重新编程能力; 也叫快擦型存储器。 目前流行的U盘(也称优盘、闪盘)即为闪速存储器的其中一种形式。 闪速存储器的可擦写次数一般在1万次以上,也有人说有的U盘可多达100万次左右(无法核实)。 3.5? 高速存储器 3.5.1? 双端口存储器 3.5.2 多模块交叉存储器 3.5.3? 相联存储器 3.5.1 双端口存储器 双端口存储器采用空间并行技术: 同一个存储体使用两组相互独立的读写控制线路,可并行操作。 显卡上的存储器一般都是双端口存储器。 读写特点 无冲突读写 访问的存储单元不同,可并行读写存储体; 有冲突读写 访问同一存储单元,可使用/BUSY信号控制读写优先顺序; 动画演示: 3-24.swf 3.5.2 多模块交叉存储器 多模块交叉存储器采用时间并行技术。 存储器的模块化组织方式 顺序方式 优点:通过直接增添模块来扩充存储器容量比较方便; 缺点:各模块串行工作,存储器的带宽受到了限制。 交叉方式 优点:块数据传送时,可大大提高存储器的带宽; 缺点:模块间的依赖性强,且不易进行存储器的容量扩充。 CPU对多模块的同时访
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