IGBT门极驱动：电流和功率.pdfVIP

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2019-04-18 发布于浙江
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IGBT门极驱动：电流和功率.pdf

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IGBT Gate Drive: Current Power Miller C Capacitor +R O_Driver G E Values of Cies Cres are given in IGBT data sheet. ZH Liang - AI AP The factor of 5 (or 6) is used due to the effect of Cres (high ∆V, high ∆Q). 05 Dec 2003 Page 1 Infineon Technologies Asia Pacific for internal use only IGBT Gate Drive: Gate Resistors It is necessary to use gate resistors (R ) because the g switching speed should be limited in order to reduce di/dt dv/dt and hence over-voltage EMI problem. The cost of using Rg is the increase of switching losses. To set switch-on switch-off time separately, Rg can be split into Rg_ON and Rg_OFF . R g_ON R g_OFF R g_OFF R Driver g_ON ZH Liang - AI AP Driver 05 Dec 2003 Page 4 Infineon Technologies Asia Pacific for internal use only IGBT Gate Drive: Power Supplies