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－ － － － + + + + R E 1、PN 结正向偏置 内电场 外电场 变薄 P N + _ 内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流。 2、PN 结反向偏置 － － － － + + + + 内电场 外电场 变厚 N P + _ 内电场被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。 R E PN结， § 3.2有关概念 PN结反偏 PN结正偏 又可称作什么？ §3.3 半导体二极管 1、定义 PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 P N 二极管的电路符号： U I 死区电压 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压UBR 2、 二极管伏安特性（V-I特性曲线) P N + v - i 二极管伏安特性 管子的正向电阻小 死区电压 硅管0.5V,锗管0.1V。 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 二极管伏安特性 式中 Is ? 饱和电流; UT = kT/q ?温度的电压当量 k ? 波尔兹曼常数； T=300k（室温）时 UT= 26mv 3.二极管的电流方程 由半导体物理可推出： ? 当加反向电压时： ? 当加正向电压时： (