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烧结完成后由硅片成为电池的过程就结束了，这时我们要根据电性能的不同把太阳电池分档归类，然后包装入库。 标准测试条件STC: 电池温度25℃ ； 光源辐照度为1000W/m2 ； AM1.5太阳光谱辐照度分布 ； 太阳电池的测试曲线： 太阳能电池生产工艺 以单晶硅太阳能电池为例，介绍一下一块硅片是如何变成电池的。 EG太阳能电池片生产工艺流程： 分选测试 PECVD 制绒 印刷电极 去PSG 扩散 概述 烧结+JI 一次清洗 一次清洗 目的： a.清除硅片表面的油类分子及金属杂质。 b.去除切片时在硅片表面产生的损伤层。 硅片 机械损伤层（10微米） 图2 单晶硅表面损伤层去除 c.形成金字塔型的绒面。 一次清洗 图3 单晶硅片表面的 金字塔状绒面 图4 单晶硅片表面反射率 制备绒面的目的及机理： 减少光的反射率，提高短路电流（Isc），最终提高电池的光电转换效率。 解释机理： 当光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率。 一次清洗 图5 绒面减少反射的机理 扩散 概述 目的：在P（N）型衬底上扩散N（P）型杂质形成PN结。 达到合适的掺杂浓度ρ/方块电阻R□ P型衬底 扩散是物理和化学过程，经历的主要步骤可以用下图表示： P型Si 磷原子 化学反应 5POCl3 ＝ 3 PCl5 + P2O5（600℃） 4PCl5 + 5O2 ＝ 2 P2O5 + 10Cl2 ↑ 2 P2O5 +5 Si = 5 SiO2 + 4 P 硅片上磷原子的浓度差异使磷扩散进入硅中： 磷原子 N型Si P型Si PN结 高温扩散 影响扩散的因素 扩散基本原理 管内气体中杂质源的浓度 扩散温度 扩散时间 POCl3简介 扩散基本原理 太阳电池磷扩散方法 １．三氯氧磷（POCl3）液态源扩散 ２．喷涂磷酸水溶液后链式扩散 ３．丝网印刷磷浆料后链式扩散 POCl3是目前磷扩散用得较多的一种杂质源 无色透明液体，具有刺激性气味。如果纯度不高则呈红黄色。 比重为1.67，熔点2℃，沸点107℃，在潮湿空气中发烟。 POCl3很容易发生水解，POCl3极易挥发。本品遇水蒸汽分解成磷酸和氯化氢，可致磷中毒，对皮肤、粘膜有刺激作用。 周边刻蚀 周边刻蚀—简单的讲，就是把电池边缘的一层硅腐蚀掉。 扩散时，由于硅片的边缘也和扩散气体接触，硅片周边在扩散时会生成一层导电的掺杂硅膜层，这一导电层将电池的正负两极连接起来，使电池短路。 N型Si P型Si PN结 物理方法：将边缘一定宽度的硅去掉——理论上完全没问题，而且早期大家就是这么干的，但是切割（或喷砂）同时对电池的损伤也让人头疼；现在有了激光切割设备，损伤的问题可以避免，但是激光切割的能耗较高。 化学方法：利用化学反应将边缘腐蚀掉——显然我们不可能将扩散后的硅片再放入溶液中去腐蚀，我们用等离子体来代替溶液。等离子刻蚀是目前最好的刻蚀方法。 等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除。 简单介绍一下等离子刻蚀: 玻璃腔体 反应室 硅片 夹具 夹具 RF 供气系统 真空系统 射频电源 * 首先，母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。 其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，并在表面上发生化学反应。 生产过程中，在中CF4掺入O2，这样有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率。 二次清洗 二次清洗 目的： 在形成PN结的扩散过程中，在硅片表面生长了一层一定厚度的磷硅玻璃，为了形成良好的欧姆接触，减少光的反射，在沉积减反射膜后续工艺之前，必须把磷硅玻璃腐蚀掉，即用氢氟酸去除电池表面的磷硅的氧化层（PSG） 。 二次清洗 二次清洗腐蚀原理： 因为在扩散中磷硅玻璃在较低的温度就形成了： 4 POCl3 + 3 O2 = 2 P2O5 + 6 Cl2 因此磷硅玻璃中磷可以认为部分是P2O5 ，其他是2SiO2? P2O5 或SiO2? P2O5 ，此三种成分分散在二氧化硅中。 在较高的温度的时候， P2O5作为磷源与Si发生了如下反应： 2 P2O5 +5 Si = 5 SiO2 + 4 P 所以去磷硅玻璃清洗实质上就是去除硅片表面的SiO2 。 PECVD 减反射膜是一层厚度与光波波长同等程度的薄膜 ，涂敷在元件表面可以消除或减弱反射光的目的。质量良好的氮化硅薄膜稳定而致密，除了有减反射的作用外还能对电池起到很好的表面钝化作用。 3SiH4 + 4NH3 = Si3N