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1.2.4 二极管的电路模型 例4.1 2. 反向特性 – 0.02 – 0.04 0 –25 –50 I / mA U / V 反向特性 　　当电压超过零点几伏后，反向电流不随电压增加而增大，即饱和； 　　二极管加反向电压，反向电流很小； 　　如果反向电压继续升高，大到一定数值时，反向电流会突然增大； 反向饱和电流 这种现象称击穿，对应电压叫反向击穿电压。 　　击穿并不意味管子损坏，若控制击穿电流，电压降低后，还可恢复正常。 击穿电压 U(BR) 3. 伏安特性表达式(二极管方程) IS ：反向饱和电流 UT ：温度的电压当量 在常温(300 K)下， UT ? 26 mV 　　二极管加反向电压，即 U 0，且 |U| UT ，则 I ? - IS。 　　二极管加正向电压，即 U 0，且 U UT ，则 　　　　　，可得 ，说明电流 I 与电压 U 基本上成指数关系。 结论： 　　二极管具有单向导电性。加正向电压时导通，呈现很小的正向电阻，如同开关闭合；加反向电压时截止，呈现很大的反向电阻，如同开关断开。 　　从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管的电压与电流变化不呈线性关系，其内阻不是常数，所以二极管属于非线性器件。 1.2.3　二极管的主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 2. 最高反向工作电压 UR 　　工作时允许加在二极管两端的反向电压值。通常将击穿电压 UBR 的一半定义为 UR 。 3. 反向电流 IR 通常希望 IR 值愈小愈好。 4. 最高工作频率 fM 　　fM 值主要 决定于 PN 结结电容的大小。结电容愈大，二极管允许的最高工作频率愈低。 *1.2.4　二极管的电容效应 　　当二极管上的电压发生变化时，PN 结中储存的电荷量将随之发生变化，使二极管具有电容效应。 是由 PN 结的空间电荷区变化形成的。 (a) PN 结加正向电压 （b) PN 结加反向电压 - N 空间 电荷区 P V R I + U N 空间 电荷区 P R I + - U V 综上所述： 　　C 很小，通常为几个皮法 ~ 几十皮法，有些结面积大的二极管可达几百皮法。 二极管是一种非线性器件，一般采用非线性电路的模型分析法。 + ? iD uD ①理想模型 正向偏置 uD＝0 等效为导线 反向偏置 等效为断路 iD＝0 硅管： uD＝0.7V， 锗管： uD＝0.3V。 ②恒压降模型 + ? iD uD 正向偏置 反向偏置 iD＝0 ＋ － uD 等效为 等效为断路 二极管应用电路 利用二极管的单向导电性，可组成整流、检波、限幅、保护等电路。 D + - ui RL + - uo 例 输入电压ui＝ Usinωt，波形如图所示，试画出输出电压uo的波形。二极管为理想二极管。 t ui * 第一章　半导体器件 1.1　半导体的特性 1.2　半导体二极管 1.3　双极型三极管(BJT) 1.4　场效应三极管 1.1　半导体的特性 　　1. 导体：电阻率 ? 10-4 ? · cm 的物质。如铜、银、铝等金属材料。 　　2. 绝缘体：电阻率 ? 109 ?· cm 物质。如橡胶、塑料等。 　　3. 半导体：导电性能介于导体和半导体之间的物质。大多数半导体器件所用的主要材料是硅(Si)和锗(Ge)。 半导体导电性能是由其原子结构决定的。 现代电子学中，用的最多的半导体是硅(Si)和锗(Ge)，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 Ge Si 电子器件所用的半导体具有晶体结构，因此把半导体也称为晶体(Crystal)。 2 8 4 +14 Si 2 818 4 +32 Ge 4个价电子 将四价元素硅或锗材料提纯并形成单晶体后，便形成共价键结构。 晶体结构 +4 惯性核 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共价键 硅原子结构 图 1.1.1　硅原子结构 (a)硅的原子结构图 最外层电子称价电子 价电子 锗原子也是 4 价元素 　　4 价元素的原子常常用+ 4 电荷的正离子和周围 4个价电子表示。 +4 (b)简化模型 1.1.1　本征半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 　　完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 　　将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。 价电子 共价键 图 1.1.2　单晶体中的共价键结构 　　当温度 T = 0 K 时，半导体不导电，如同绝缘体。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 图 1.1.3　本征半导体中的