模电课件郝育闻第五章-场效应管.ppt

;G(栅极);;;2、工作原理（以N沟道为例）;vDS=0V时;VDS=0时;vGSVp且vDS0、vGD=vGS-vDSVP时耗尽区的形状;vGSVp且vDS较大时vGDVP时耗尽区的形状;vGSVp vGD=VP时;vGSVp vGD=VP时;结论： （1）因为栅源间加反向电压，故栅极几乎不取电流； （2）输出电流id受vGS控制，故场效应管是一种电压控制器件； （3）由于受电场梯度的影响，耗尽层呈上宽下窄的形式，故总是沟道的上部先被夹断；;恒流区（饱和区）;;;;(a) 输出特性曲线 (b) 转移特性曲线;一、直流参数 (1)夹断电压VP：当栅源电压vGS=VP时，iD=0。 (2)饱和漏极电流IDSS(ID0)：IDSS指的是对应vGS=0时的漏极电流。 (3) 直流输入电阻RGS RGS在106~109Ω之间。 通常认为RGS →∞。 ;二、极限参数 场效应管也有一定的运用极限，若超过这些极限值，管子就可能损坏。场效应管的极限参数如下： (1)最大漏源电压V(BR)DS。 (2)最大栅源电压V(BR)GS。 (3)最大功耗PDM：PDM=ID·VDS ;三、交流参数 1跨导gm ;场效应管的零温度系数点 ; 结型场效应管的缺点：;5.2 绝缘栅场效应管(MOS管):;+ + + + + ;一、结构和电路符号;N 沟道耗尽型;;P 沟道耗尽型;二、MOS管的工作原理;;;;;三、增强型N沟道MOS管的特性曲线;输出特性曲线;四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线;输出特性曲线;五、说明： （1）MOS管由四种基本类型； （2）MOS管的特性与结型场效应管的特性类似； （3）增强型的MOS管的vGS必须超过一定的值以使沟道形成； 耗尽型的MOS管使形成沟道的vGS可正可负； （4）MOS管的输入阻抗特别高 （5）衡量场效应管的放大能力用跨导 单位：ms ;六、MOS管的有关问题;六、MOS管的有关问题;六、MOS管的有关问题;;各种场效应管的转移特性和输出特性对比 (b)输出特性;;§ 5.4场效应管放大电路;1、自偏压电路;Q点：;;以自偏压电路为例;（1）根据VDD=Vds+ID（RD+RS）在输出特性上作直流负载线； （2）作负载转移特性； （3）作源极负载线； （4）决定静态工作点； （5）在转移特性和输出特性上求出Q;5.4.2 场效应??的微变等效电路;;G;一、静态分析;VDD=20V;VDD=20V;共漏极放大器——源极输出器;vo;输出电阻 Ro;微变等效电路;CE / CB / CC CS / CG / CD;场效应管放大电路小结;在T1 位置上画出合适的FET； 若T1的漏极电位VD= 14V，其gm = 3ms，求T1的静态值ID、VDS、VGS？ 若T2的β = 50，VBE = 0.6 V，求T2的静态值IB、IC、VCE？ 画出微变等效电路，并求AV、Ri、RO。