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变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 图3.1为一种简单的自感式传感器,它由线圈、铁心和衔铁等组成。当衔铁随被测量变化而上、下移动时,铁心气隙、磁路磁阻随之变化,引起线圈电感量的变化,然后通过测量电路转换成与位移成比例的电量,实现了非电量到电量的变换。可见,这种传感器实质上是一个具有可变气隙的铁心线圈。 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 类似于上述自感式传感器,变磁阻式传感器通常都具有铁心线圈或空心线圈(后者可视作前者的特例)。因此,分析铁心线圈的电气参数与它们对线圈特性的影响,对了解与分析变磁阻式传感器以及选择传感器参数有帮助。为此,我们将传感器线圈等效成图3.2所示的等效电路,并对电路参数及其影响一一进行讨论。 1.线圈电感L由磁路基本知识可知,匝数为W的线圈电感为 第3章 变磁阻式传感器 当线圈具有闭合磁路时 式中? RF——导磁体总磁阻。 当线圈磁路具有小气隙时 式中? Rθ——气隙总磁阻。 第3章 变磁阻式传感器 为了分析方便,需要将各种形式的线圈的电感L用统一的式子表达。为此,引入等效磁导率概念,即将线圈等效成一封闭铁心线圈,其磁路等效磁导率为μe,磁通截面积为S,磁路长度为l,于是式(3-1)变为 ?????? ?????????????????????????????? (3-4) 式中? μ——真空磁导率,μ=4π×10-7(H/m))。 第3章 变磁阻式传感器 2.铜损电阻Rc取决于导线材料及线圈的几何尺寸 3.涡流损耗电阻Re? 由频率为f的交变电流激励产生的交变磁场,会在线圈铁心中造成涡流及磁滞损耗。根据经典的涡流损耗计算公式知,为降低涡流损耗,叠片式铁心的片厚应薄;高电阻率有利于损耗的下降,而高磁导率却会使涡流损耗增加。 4.磁滞损耗电阻Rh铁磁物质在交变磁化时,磁分子来回翻转而要克服阻力,类似摩擦生热的能量损耗。 5.并联寄生电容C的影响并联寄生电容主要由线圈绕组的固有电容与电缆分布电容所构成。 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 式(3-5)表明,铁损的串联等效电阻Re′与L有关。因此,当被测非电量的变化引起线圈电感量改变时,其电阻值亦发生不希望有的变化。要减少这种附加电阻变化的影响,比值Re/ωL应尽量小,以使Re′ωL′,从而减小了附加电阻变化的影响。可见,在设计传感器时应尽可能减少铁损。当考虑实际存在并联寄生电容C时,阻抗Z为 第3章 变磁阻式传感器 式中? 总的损耗电阻 ,品质因数 。 当Q1时,1/Q2可以忽略,式(3-7)可简化为 第3章 变磁阻式传感器 由式(3-8)、(3-9)、(3-10)知,并联电容C的存在,使有效串联损耗电阻与有效电感均增加,有效Q值下降并引起电感的相对变化增加,即灵敏度提高。因此,从原理而言,按规定电缆校正好的仪器,如更换了电缆,则应重新校正或采用并联电容加以调整。实际使用中因大多数变磁阻式传感器工作在较低的激励频率下(f≤10kHz),上述影响常可忽略,但对于工作在较高激励频率下的传感器(如反射式涡流传感器),上述影响必需引起充分重视。 第3章 变磁阻式传感器 一.工作原理与输出特性 如前所述,自感式传感器实质上是一个带气隙的铁心线圈。按磁路几何参数变化形式的不同,目前常用的自感式传感器有变气隙式、变面积式与螺管式三种;按磁路的结构型式又有Π型、E型或罐型等等;按组成方式分,有单一式与差动式两种。 第3章 变磁阻式传感器 1.变气隙式自感传感器 变气隙式自感传感器的结构原理见图3.1。由于变气隙式传感器的气隙通常较小,可以认为气隙磁场是均匀的,若忽略磁路铁损,则图3.1传感器的磁路总磁阻为 第3章 变磁阻式传感器 将式(3-11)代入式(3-1),可得 第3章 变磁阻式传感器 同时,由式(3-11) 第3章 变磁阻式传感器 第3章 变磁阻式传感器 2.变面积式自感传感器 若图3.1所示传感器的气隙长度lδ保持不变,令磁通截面积随被测非电量而变(衔铁水平方向移动),即构成变面积式自感传感器。此时由式(3-16) 第3章 变磁阻式传感器 可见,变面积式传感器在忽略气隙磁通边缘效应的条件下,输出特性呈线性,因此可望得到较大的线性范围。与变气隙式相比较,其灵敏度较低。欲提高灵敏度,需减小lδ,但同样受到工艺和结构的限制。lδ值的选取与变气隙式相同。 3.螺管式自感传感器 ?? 图3.4为螺管式自感传感器结构原理图。它由平均半径为r的螺管线圈、衔铁和磁性套筒等组成。随着衔铁插入深度的不同将引起线圈泄漏路径中磁阻变化,从而使线圈的电感发生变
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