要求电源尺寸尽量小并能将电源部分和仪表主控部分做在同一.PDF

本文设计的开关电源将作为智能仪表的电源，最大功率为10 W。为了减少PCB 的数量和智能仪表的体积， 要求电源尺寸尽量小并能将电源部分与仪表主控部分做在同一个PCB 上。 考虑 10W 的功率以及小体积的因素，电路选用单端反激电路。单端反激电路的特点是：电路简单、体积 小巧且成本低。单端反激电路由输入滤波电路、脉宽调制电路、功率传递电路(由开关管和变压器组成)、 输出整流滤波电路、误差检测电路(由芯片TL431 及周围元件组成)及信号传递电路(由隔离光耦及电阻组 成)等组成。本电源设计成表面贴装的模块电源，其具体参数要求如下： 输出最大功率：10W 输入交流电压：85～265V 输出直流电压／电流：+5V，500mA；+12V，150mA；+24V，100mA 纹波电压：≤120mV 单端反激式开关电源的控制原理 所谓单端是指TOPSwitch-II 系列器件只有一个脉冲调制信号功率输出端一漏极D。反激式则指当功率 MOSFET 导通时，就将电能储存在高频变压器的初级绕组上，仅当MOSFET 关断时，才向次级输送电能， 由于开关频率高达100kHz，使得高频变压器能够快速存储、释放能量，经高频整流滤波后即可获得直流 连续输出。这也是反激式电路的基本工作原理。而反馈回路通过控制TOPSwitch 器件控制端的电流来调 节占空比，以达到稳压的目的。 TOPSwitch- Ⅱ系列芯片选型及介绍 TOPSwitch- Ⅱ系列芯片的漏极(D)与内部功率开关器件MOSFET 相连，外部通过负载电感与主电源相连， 在启动状态下通过内部开关式高压电源提供内部偏置电流，并设有电流检测。控制极(C)用于占空比控制的 误差放大器和反馈电流的输入引脚，与内部并联稳压器连接，提供正常工作时的内部偏置电流，同时也是 提供旁路、自动重起和补偿功能的电容连接点。源极(S)与高压功率回路的MOSFET 的源极相连，兼做初 级电路的公共点与参考点。内部输出极MOSFET 的占空比随控制引脚电流的增加而线性下降，控制电压的 典型值为5.7 V，极限电压为9 V，控制端最大允许电流为100 mA。 在设计时还对阈值电压采取了温度补偿措施，以消除因漏源导通电阻随温度变化而引起的漏极电流变化。 当芯片结温大于135℃时，过热保护电路就输出高电平，关断输出极。此时控制电压Vc 进入滞后调节模 式，Vc 端波形也变成幅度为4.7V～5.7V 的锯齿波．若要重新启动电路，需断电后再接通电路开关，或者 将Vc 降至3.3V 以下，再利用上电复位电路将内部触发器置零，使MOSFET 恢复正常工作。 采用TOPSwitch- Ⅱ系列设计单片开关电源时所需外接元器件少，而且器件对电路板布局以及输入总线瞬 变的敏感性大大减少，故设计十分方便，性能稳定，性价比更高。 对于芯片的选择主要考虑输入电压和功率。由设计要求可知，输入电压为宽范围输入，输出功率不大于 10W， 故选择TOP222G 。 电路设计 本开关电源的原理图如图 1 所示。 电源主电路为反激式，C1、L1、C2，接在交流电源进线端，用于滤除电网干扰，C5 接在高压和地之间， 用于滤除高频变压器初、次级后和电容产生的共模干扰，在国际标准中被称为Y 电容。C1 跟C5 都称作 安全电容，但C1 专门滤除电网线之间的串模干扰，被称为X 电容。 为承受可能从电网线窜入的电击，可在交流端并联一个标称电压u1mA 为275V 的压敏电阻VSR 。 鉴于在功率MOSFET 关断的瞬间，高频变压器的漏感产生尖峰电压UL，另外，在原边上会产生感应反向 电动势UOR，二者叠加在直流输入电压上。典型的情况下，交流输入电压经整流桥整流后，其最高电压 UImax=380V，UL≈165V，UOR=135V，贝UOR+UL+UOR≈680V。这就要求功率MOSFET 至少 能承受700V 的高压，同时还必须在漏极增加钳位电路，用以吸收尖峰电压，保护TOP222G 中的功率 MOSFET。本电源的钳位电路由D2、D3 组成。其中D2 为瞬态电压抑制器(TVS)P6KE200，D3 为超快 恢复二极管UF4005。当MOSFET 导通时，原边电压上端为正，下端为负，使得D3 截止，钳位电路不起 作用。在MOSFET 截止瞬间，原边电压变为下端为正，上端为负，此时D1 导通，电压被限制在200V 左右。 输出环节设计 以+5V 输出环节为例，次级线圈上的高频电压经过UF5401 型100V ／3A 的超快恢复二极管D7，由于 +5V 输出功率相对较大，于是增加了后级LC 滤波器，以减少输出纹波电压。滤波电感L2 选用被称作磁 珠的3.3μH 穿心电感，可滤除D7