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一 填空 导电能力介于 和 之间的物质称为半导体。 P型半导体又称为 半导体，其内部 数量多于 数量。 在本征半导体内掺入 价元素可形成P型半导体。 半导体二极管导通的充要条件是： 。 晶体二极管按用途可分为 和 。 三极管工作时，通常在它的 加正向电压， 加反向电压。 二极管内电流的分配关系： 。穿透电流ICBO与ICEO之间的关系： 。 结型场效应管的输入电阻很大，一般可达 。 当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为 V，锗二极管的正向压降 V，各自的门槛电压 ， 。 二极管的主要参数： ， 。 整流是指 ，实现这种功能的电路称为 滤波是 ，常见滤波电路有 光敏二极管的主要参数： 和 。 稳压二极管的原理是 。 发光二极管的门槛电压是 V，击穿电压是 V。 LED的主要参数是 、 和 。 稳压二极管的主要参数是 、 、 、 、 。 电容滤波器的优点是 。发光二极管工作在 区，光敏二极管工作在 区，稳压二极管工作 在 区，普通二极管工作在 区。 发光二极管所采用的半导体材料是 、 、 。 为保证三极管工作在放大区，要求发射结 ，集电结 。对于NPN型硅 管，应使VBE= V。 三极管发射结正向压降VBE随温度升高而 ，反向饱和电流ICBO随温度的升高而 ，β随温度升高而 。 场效应管是一种 控制器件，它的漏极电流受 控制。它的输入电阻 ，栅极电流 。 双极型三极管从结构上可以分为 和 两种类型，他们工作时有 和 两种载流子参与导电。MOS场效应管从结构上分成 和 两种类型，他们的导电过程仅仅取决于 载流子的流动。 放大器的输入电阻越 ，则向信号源吸取的电流越小；输出电阻越 ，放大器的带负载能力越强。 当β频率的增大下降到最大值的0.707倍时所对应的频率称为 ，记作 。当下降到1所对的频率称为 ，记作 。 在多级放大器中，总的通频带比其中每一级的通频带 。总的下限频率 FL 每一级的下限频率，总的上限频率FH 每一级的上限频率。 在阻容耦合共射电路种中，电压放大倍数在低频段下降主要与 电容有关，在高频段下降主要与 电容有关。 表征放大器中的晶体三极管的静态工作点的参数有 、 和 。 振荡器分为高频振荡器和低频振荡器。LC振荡器在应用时，当作 振荡器，RC振荡器在应用时，当作 振荡器。 用来放大 、 或 信号的放大器称为直流放大器。 运算放大器实质上是一种具有 的多级直耦放大器。 直流放大器存在的两个特殊问题分别是 和 。 引起零点漂移的原因是 、 、 、其中 最难控制。 零点漂移的表示方法 ，简称 。 理想运放的条件是 、 、 、 和 。 根据 的不同，功率放大器分为 、 和 。 差动放大电路输入端和输出端有 种解法。 典型差动放大器较基本差动放大器的区别在于 、 、 ，其作用分别为 、