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msp430嵌入式试验报告 　　430单片机个人总结　　一时钟部分　　1、关于　　XT2　　图1　　2、关于　　XT1　　图2　　3、关于MCLK　　PUC信号之后，MCLK来源于DCO时钟信号，如果要设置MCLK来源于XT1或者XT2，步骤如下：　　1、打开需要的晶体振荡器；　　2、清除OFIFG标志位；　　3、延时50us；　　4、测试OFIFG标志位。若OFIFG=0，说明设置成功；若OFIFG=1，设置未成功，重复2~3步骤；程序如下　　BCSCTL1=~XT2OFF;//XT2ison　　do　　{　　IFG1=~OFIFG;//clearOSCFaultflag　　for(i=255;i0;i--);//timeforflagtoset　　}　　while((IFG1OFIFG));　　BCSCTL2|=SELM_2+DIVM_3;//f(mclk)=f(XT2)/8;　　二IO口部分　　430单片机的IO口都是复用的，除了做普通IO口用外，还可以作为片内外设用，图3所示为msp430g2553单片机的、管脚说明，可以发现管脚除了作为普通的IO之外，还可以作为、TCLK等用，那么应该如何选择这些管脚的功能呢？　　1、给寄存器PxSEL赋值，确定管脚是作为IO用，还是作为片内外设用，当PxSEL=0时，用作IO，当PxSEL=1时，用作片内外设；　　2、给寄存器PxDIR赋值，确定管脚的输出方向，当PxDIR=0时，用作输入，当PxDIR=1时，用作输出；　　图　　3　　图4　　三中断函数　　标准中断函数的格式为;　　#pragamvector=中断向量　　__interruptvoidISR　　{　　}用户程序；　　四低功耗模式　　进入低功耗程序模式为：　　_EINT()；　　LPM0；　　以上两句程序等价为：_BIS_SR(LPM0_bits+GIE);　　那么退出低功耗程序为：　　LPM0_EXIT；　　五Flash操作　　Flash被划分成mainmemory和informationmemory，两者没有太大区别，只是两者的容量和物理地址不同。　　CPU：中央处理器(centerprocessingunit)，是一台计算机的运算核心和控制核心。它的功能是解释处理指令。主要由运算器、高速缓冲存储器(cache)、数据总线、控制总线、地址总线组成。它与内部存储器和输入/输出设备合称为电子计算机三大核心部件。　　Flash就是memory的一种。　　对flash进行操作时，其频率需在257kHz~476KHz之间，同时单片机的供电电压不能低于。　　对flash的操作有三种：读、写和擦除；默认方式是读。　　擦除操作：　　对flash进行擦除操作时，需要进行一个假写入，假写入的目的是启动flash时钟发生器　　和启动擦除操作，若果假写入的地址不在需要擦除的段内，该假写入不能启动该段的擦除。擦除flash所需的时间是固定的，并不取决于需要擦擦除的flash的数量，mass擦除的时间t=10593/fFTG，segment擦除的时间t=4819/fFTG，色　　写入flash步骤：　　1、关闭看门狗电路和总中断；　　2、设置FCTL2；　　3、设置指针指向需要写入段的首地址；　　4、设置FCTL1、FCTL3，需要首先设置FCTL1控制flash为擦除操作；　　5、假写入，那么在擦除过程中，CPU将会停止运行；擦除完成后，CPU继续执行后面的代码）；　　怎么理解从flash中启动擦除操作？？？　　个人理解：就是通过上位机下载到单片机的程序保存在flash中，而没有保存到RAM中。擦除指令代码也是保存在flash中。　　6、擦除操作完成后，设置FCTL1；　　7、写入flash程序；　　8、写入完成后，设置FCLT1、FCTL3　　c语言程序如下：　　voidmain　　{　　uchar*Flash_ptr；//flashpointer　　uinti,value;//value为需要写入的数值;　　WDTCTL=WDTPW+WDTHOLD；//关闭看门狗;　　FCTL2=FWKEY+FSSEL0+FN0；//设置flashtiming　　value=0;　　Flash_ptr=(uchar*)0x1080;//设置flashpointer为需要写入的flash段的首地址FCTL1=FWKEY+ERASE;//设置flash为擦除模式；　　FCTL3=FWKEY;//打开flash操作，默认为读模式，用户不能对flash进行其他操作*Flash_ptr=2;//假写入一个数值　　F