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高中物理下冊 南一版 第二十二章 電子學 第五節 微電子技術 在之間前我們已經介紹過相當多的電子材料，一共有半導體、雙極性電晶體、場 效應電晶體，也許這些電子零件相對於當初的真空管已經相當的小了，但是假如我們要製程一個很複雜的電路時，產品將會變的相當的大，於是在1960年發展成功積體電路的技術，讓我們的電子零件更加的變小 積體電路是將電路所需的電子零件連同金屬接線全部整合在一個很小的矽晶片上，這個小晶片稱為IC，這就是目前八吋晶圓廠，和十二吋晶圓廠最主要在作的東西，要製作IC必須將我們採到的矽礦熔化，然後再提煉出高純度的矽晶棒，將晶棒切割出厚度約為0.7mm的薄片，就成為晶圓，而我們要製作的小晶片就從這個晶圓中去作切割，切成一個一個的小晶片，我們在製作小晶片的電路時，可以將同一片晶圓上面的小晶片一起製作，因此一次可以同時製作上百個的小晶片，而且一片12吋晶圓可以比8吋晶圓切割出更多的小晶片，也就是可以製作比較多的成品，所以可以從這裡知道12吋晶圓廠的重要性。 其實整個微電子技術主要使用到的原理就是微影蝕刻的技術，其中微影是指我們將我們要的電子電路像是照相一樣的把它拍在晶片上面，這樣每一個小晶片就會有我們要的電路圖樣縮小版，然後我們就可以接下去下一個步驟，那就是去作蝕刻，我們可以利用底片上有曝光跟沒有曝光的差別，利用化學或物理方法來作蝕刻，就這樣反覆的作下去，最後就可以完成我們的作品，這邊要強調的是，我們要完成一個小小的電子零件可能要作好幾層堆積，但是每要完成一層的堆積就要一次的微影蝕刻，所以步驟是相當的複雜，因此要是一次可以完成很多個那就可以事半功倍，這就是12吋晶圓的好處。 接下來我們就舉一個例子，我們想要製作一個之前描述過的n通道加強模式金氧半場效應電晶體，這裡我們先來看一下它的結構圖 我們的將製作的範圍縮小到一個小晶片上的一個小角落，在這個小角落的矽晶體上我們想要先作一區p型的區域，於是先來一個微影的技術，把我們要作的範圍照出來，然後就是利用一連串的蝕刻得到我們的結果 接下來我們要做兩個n型區域，所以我們還要再微影蝕刻一次 再來我們要作一層二氧化矽層，所以我們再度微影蝕刻 再把電晶體的三個極鍍上一層導線 我們已經完成我們電晶體了再來就是接線，我們因為不希望接線會互相連接而造成短路，所以我們需要再作一層絕緣層，在絕緣層上挖三個洞，可以把導線接出來 最後我們把我們接線接上去就大功告成 * * 請按滑鼠到下一頁 SiO2 n n p Si晶體 感光層 光閘 紫外光 微影 蝕刻 p n n 氧化層 導線 絕緣層