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半导体最重要的性质之一，是由于存在极少量的杂质，使电导率产生显著变化． 施主和受主 Si是lv族元素，有四个价电子．位于正四面体中心的原子和位于正四面体各顶点的四个最近邻原子，通过共价键组成金刚石结构的晶体． 假设用v族元素原子P(磷)原子替代一个Si原子，则磷原子的五个价电子中的四个就和周围的四个Si原子组成共价键． 这种状态的P原子可以看成是+1价的离子，在它周围通过库仑引力微弱地束缚一个电子，这个电子就象氢原子中的电子的情形一样． 只要给予很小的能量，就会脱离正离子的束缚而成为传导电子，对电导作出贡献． 这种起供给电子作用的杂质称为施主． 氢原子模型是合适的． 当从外界给束缚 电子以大于束缚能的能量时，电子被激发到导带而成为传导电子，对电导有贡献． 因此，施主的能级在禁带中，位于导带底以下 ??D(束缚能)处． 假如正离子束缚的电子的轨道半径比起原子间距足够大，则电子的束缚能可由氢原子模型求出． 只要把真空氢原子束缚能公式中的电子质量m。用电子有效质量me*代替，真空介电常数?o用介质(这个场合为Si)介电常数?代替就行了．这样可分别得到基态(量子数n＝1)的轨道半径ro和束缚能??D为 如果把III族元素B做为杂质掺到硅中，为了和周围4个Si组成共价键，只有3个价电子的B原子必须从附近的硅原子获得一个多出的价电子，自己变成l价的负离子，在它周围束缚一个空穴． 用很小的能量就能很容易地将此空穴激发到价带．这种接受价电子，在价带产生空六的杂质称为受主．受主的空穴束缚能??A也能按照氢原子模型，利用空穴有效质量m*通过ro求出．受主能级在禁带中，位于价带顶以上??A (束缚能)处． 杂质的存在从下面三个方面使半导体的吸收光谱发生改变： （1）从杂质中心基态到激发态的激发，可以引起线状吸收谱。 这种跃迁的最大几率发生在光子能量hv与电离能同数量级时，即与受主EA和施主ED同数量级。该能量比禁带宽度小得多。 对于Si中的Al杂质中心，如图14所示。从图中可观察到由杂质基态向激发态跃迁所产生的三个吸收峰。 2.2．3 杂质吸收 图14在Si中的AI杂质中心引起的吸收 在大多数半导体中，多数的施主和受主能级都很接近于导带和价带，因此这种吸收出现在红外区域内。 例如在Ge中，V族施主的基态在导带下面大约0．01eV的地方；对于Si，V族施主的基态在导带下面大约0．05eV的地方。 由杂质中心光电离引起的连续吸收是发生在由杂质基态向激发态跃迁产生的吸收峰之后。 为了发生这种吸收跃迁，光子能量不应小于杂质电离能，并且应避免热电离，半导体必须处于足够低的温度下。 （2）电子从施主能级到导带或从价带 到受主能级的吸收跃迁。 施主能级 受主能级 除非杂质浓度很高，这种吸收跃迁儿率一般非常小，并且通常都被自由载流子吸收所掩盖，实验中很难观察到这种杂质吸收。 3）从价带到施主能级或从被电子占据的受主能级到导带的吸收跃迁， 施主能级 受主能级 浅受主能级和浅施主能级分别用一根水平线表示。线的半宽度可表示为1／rimp，其中杂质原子的玻尔半径rimp，其中杂质原子的玻尔半径rimp为 如果杂质是浅施主，则m*是导带中电子的有效质量； 如果杂质是浅受主，则m*是价带中空穴的有效质量。 （47） 式中：AA为系数；NA为受主浓度。 若考虑浅受主到导带的跃迁，跃迁吸收系数可近似地用下式表示： （48） 自由载流子吸收是自由载流子在单个能带中的状态之间的跃迁吸收。 对于导带，在非简并化情况，吸收正比于自由电子数，自由载流子吸收可以利用不同能量状态之间的跃迁几率的量子理论来处理。 当能带属于非简并情况下，半经典理论给出了和量子理论基本相同的结果。用更简单的半经典理论导出的吸收系数为 2．2．4 自由载流子吸收 式中：ne是导带中电子浓度； μc 称为电导迁移率； mc为电导有效质量； g是与电阻率有关的一个系数； n是折射率。 （49） 我们看到，自由载流子吸收系数正比于自由载流子浓度ne和自由空间中的波长λ0的平方，反比于电导迁移率。 对于很多半导体，通过在波长大于本征吸收边界的红外区域内测量它们的自由载流子吸收，证实了式（49）。 无论从电极处注入载流子或者用光注入载流子（用光产生电子－空穴对）来人为地增加载流子浓度，自由载流子吸收应该是电子和空穴所引起的吸收的累加，空穴的吸收系数也是由式（49）给出， 只是式中g，mc和μc的数值不同。 在中红范围内，自由载流子吸收按照λ2的规律变化