课件：无机材料合成与制备.ppt

因为直接实现溅射的机构是离子，所以这种镀膜技术又称为离子溅射镀膜。与此相反，利用溅射也可以进行刻蚀。 在溅射过程中大约95％的离子能量作为热量而被损耗，仅仅只有5％的能量传递给二次发射的粒子。在1 KV的离子能量下，溅射的中性粒子、二次电子和二次离子之比约为100：10：1。 C－2. 入射离子的产生： 辉光放电：在真空度约为10～1 Pa的稀薄气体中，两个电极之间加上电压时产生的一种气体放电现象。 放电击穿之后的气体已经成为具有一定导电能力的等离子体，它是一种由离子、电子以及中性原子和原子团组成，而宏观上呈现电中性的物质的存在形式。 不同的粒子具有极为不同的平均速度。电子的平均运动速度为9.5×105 m/s，对于Ar原子和Ar离子来说，由于其温度远低于电子温度，而其质量又远大于电子质量，因而其平均速度只有约5×102 m/s 。 1 Pa左右压力条件下的辉光放电等离子体中，电子、离子与中性粒子的总密度应该等于3×1014个/cm3左右。其中，只有大约10-4比例的粒子是带电的电子和离子。等离子体中电子的平均动能较高，而离子和中性原子的能量只有电子能量的1％～2％ C－3. 溅射机理： (1) 热蒸发理论 早期研究认为：溅射现象是电离气体的荷能正离子正在电场作用下加速轰击靶材料表面，将能量传递给碰撞处的原子，导致小区域内瞬间高温使靶材熔化蒸发。 热蒸发理论在一定程度上解释了某些溅射现象：如溅射靶材热蒸发速度与离子的能量关系，溅射原子的余弦分布规律等，但不能解释溅射率与离子入射角关系及溅射率与入射离子质量关系等。 溅射是一个复杂的物理过程，主要涉及两种机理： (2) 动量转移理论 对溅射特性的深入研究表明，溅射是以动量传递的方式将材料激发为气态。 溅射的本质特点为；由辉光放电提供的高能或中性原子撞击靶材表面，把动能传递给靶表面的原子，该表面的原子获得的动能再向靶内部原子传递，经过一系列的碰核过程即级联碰撞，如图所示，使某些原子获得足够的能量，克服表面势垒(结合能)，逸出靶面而成为溅射原子。 在溅射过程中，入射离子的能量转移到逸出的溅射原子的大约只有原来的1％，大部分能量通过级联碰撞而消耗在靶材内部中，并转化为晶格的热振动。 动量转移理论很好地解释了热蒸发现象不能说明的溅射率与离子入射角的关系、溅射原子角分布规律等。 C－4. 直流溅射系统： 直流溅射又称为阴极溅射或二极溅射。左图为其示意图，典型的溅射条件为：工作气压10 Pa（一般用Ar气），溅射电压3000 V，靶电流密度0.5 mA/cm2，薄膜沉积速率低于0.1 μm/min。 不能独立地控制各个工艺参量，包括阴极电压、电流以及溅射气压； 另外，其工作气压较高，溅射速率较低； 两电极必须具有较好的导电性。如果溅射靶材为导电性较差的非金属靶材，就需要大幅度地提高直流溅射电源的电压，电能消耗提高。 直流溅射系统的缺点： C－5. 射频溅射系统： 射频溅射是适用于各种金属、非金属材料的一种溅射沉积方法。 使用交流电源，在交流的每半个周期后，阴极和阳极的电位互相调换。这种电位极性的不断变化导致阴极溅射交替式地在两个电极上发生。一般来说，溅射法使用的高频电源的频率已属于射频的范围，其频率区间一般为5~30 MHz。国际上通常采用的射频频率多为13.56 MHz。 射频溅射法由于可以将能量直接耦合给等离子体中的电子，因而其工作电压和对应的靶电压较低，其典型数值为：工作气压1.0 Pa，电压1000 V，靶电流密度约1.0 mA/cm2，薄膜沉积速率约为0.5 μm/min。 C－6. 磁控溅射系统： 一般磁控溅射靶的磁场分布形式如左图所示。 磁控溅射方法典型的工作条件为：工作气压0.5 Pa，靶电压600 V，靶电流密度20 mA/cm2，薄膜沉积速率2 ?m/min。 C－7. 离子束溅射系统： 离子束溅射方法将离子的产生与靶材的溅射过程分开，离子产生区域的真空度保持在10-1 Pa的数量级，而溅射区域的真空度可维持在低于10-3 Pa的范围。 离子枪将提供一定束流强度(10~50 mA)、一定能量(0.5~2.5 keV)的Ar离子流。 缺点：装置过于复杂，薄膜的沉积速率较低，设备运行成本较高。 Kaufman离子枪： D. 分子束外延装置 外延是在单晶基板上按一定方向生长成某种单晶膜的现象。 若基板与薄膜采用同种物质，叫同质外延，例如在n型硅单晶的(111)面上生长p型硅单晶薄膜。 若薄膜与基板物质不同，称异质外延。 MBE的基本过程是在超高真空条件下(10-8~10-10 Pa)，不同强度和不同化学成分的多个热分子束射到一个被加热到一定温度的单晶基板上，通