第二章-半导体中杂质和缺陷能级..ppt

* * 第二章 半导体中杂质和缺陷的能级 * 2.1.1 间隙式杂质和替位式杂质 2.1 Si、Ge晶体中的杂质能级 实际半导体中并不是完美的一种原子的晶体结构。存在着一定数目的缺陷和杂质。 即使微量的杂质，对半导体的导电能力会带来巨大的影响----半导体的特性。 杂质：与本体原子不同元素的原子。 只有替位杂质才能被激活。 正如一般电子为晶体原子所束缚的情况，电子也可以受杂质的束缚，形成杂质能级。电子也具有确定的能级，这种杂质能级处于禁带（带隙）之中，它们对实际半导体的性质起着决定性作用。 * 2.1.1 间隙式杂质和替位式杂质 半导体中间隙式杂质和替位式杂质 按照球形原子堆积模型，金刚石型晶体的一个原胞中的8个原子只占该晶胞体积的34％，还有66％是空隙。 A－间隙式杂质原子：原子半径比较小 B－替位式杂质原子：原子的大小与被 取代的晶体原子大小比较相近 杂质浓度：单位体积中的杂质原子数 * 2.1.2 施主杂质 施主能级 * 施主能级ED 被施主杂质束缚的多余的一个价电子状态对应的能量。 2.1.2 施主杂质 施主能级 * 2.1.2 施主杂质 施主能级 施主杂质 施主电离 束缚态 中性态 VA族杂质在硅、锗中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心。 释放电子的过程。 施主杂质未电离时电中性的状态 离化态 电离后成为正电中心。 施主杂质 电离能?ED 多余的一个价电子脱离施主杂质而成为自由电子所需要的能量。 * 2.1.3 受主杂质、受主能级 硼掺入硅中, 硼只有三个价电子,与周围的四个硅原子成键时，产生一个空穴。其它成键电子很容易来填补这个空穴。填补时，空穴激发到价带（空穴电离，能量升高），同时硼原子成为负电中心。这一过程很容易发生，意味着空穴电离能较小。 * 2.1.3 受主杂质、受主能级 等价表述 受主杂质 电离能 受主杂质 电离 硼原子看成是一个负电中心束缚着一个空穴, 空穴很容易电离到价带, 同时在硼原子处成为一个负电中心。 空穴挣脱受主杂质束缚的过程。 使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需要的能量。 P型半导体 如何计算、分析半导体中，杂质的能级。这里介绍一种最简单的、实际上也是最重要的一类杂质能级──类氢杂质能级。 在Si、Ge元素半导体和Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体等最重要的半导体材料中发现： 加入多一个价电子的元素，如在Si 、Ge中加入P、As、Sb，或在Ⅲ－Ⅴ族化合物中加入Ⅵ族元素，这些掺入的杂质将成为施主； 加入少一个价电子的元素，如在Si 、Ge中加入Al 、Ga、In，或在Ⅲ－Ⅴ族化合物中加入Ⅱ族元素，这些掺入的杂质将成为受主； 2.1.4、浅能级杂质电离能的简单计算 加入多一个价电子的替位式杂质原子，在填满价带（饱和周围成键原子的共价键）之外尚多余一个电子，同时，相比原来的原子，杂质原子也多一个正电荷，多余的正电荷正好束缚多余的电子，类似氢原子的情形。 加入少一个价电子的替位式杂质原子，在与近邻4个原子形成共价键时，缺少了一个电子，这样就使得此处的共价键中相比原来缺少了一个电子。其它价键中的电子很容易来填补这个空缺。这样一来，杂质处多了一个负电荷，同时满带处取去了一个电子，亦即多一个空穴。如同这个空穴可以被杂质负电荷所束缚，并类似氢原子的情形，只有正负电荷对调了，这样一个束缚的空穴相当于一禁带中一个空的受主能级。 * 2.1.4、浅能级杂质电离能的简单计算 氢原子电子满足： 可以解出能量本征值： 基态氢原子的电离能Ei: a0称为波尔半径，值为： 2.1.4、浅能级杂质电离能的简单计算 半导体中点电荷库仑场，受到连续介质的屏蔽，库仑势减弱了?r，(半导体相对介电常数) 束缚电子或空穴的质量为有效质量m*，由氢原子的结果得到 由于m* m0 ， ε 远大于1（Ge：16 、Si：12、GaAs：12.58），所以施主束缚能只有百分之几电子伏的数量级。 估算结果与实际测量值有相同数量级 Ge： △ED ～ 0.0064 eV Si: △ED ～ 0.025 eV 按照以上方式所形成的施主和受主，称为类氢杂质能级，它们的束缚能很小，因此对产生导带电子和价带空穴特别有效，它们往往在这些材料中是决定导电性的主要杂质。由于这类杂质的束缚能很小，施主(受主)能级很靠近导带(价带)，又称为浅能级杂质。 Si中几种Ⅴ族施主电离能如下： Si中几种Ⅲ族受主电离能如下： 杂质基态的玻尔半径（Bohr): * 2.1.5 杂质的补偿作用 当同一块半导体中同时存在施主杂质和受主杂质时，这种两种不同类型的杂质有相互抵偿的作用，称为杂质补偿